|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
М. А. Бобровab, С. А. Блохинb, Н. А. Малеевb, А. Г. Кузьменковb, А. А. Блохинb, А. П. Васильевc, Ю. А. Гусеваb, М. В. Рахлинb, А. И. Галимовb, Ю. М. Серовb, С. И. Трошковb, В. М. Устиновa, А. А. Тороповb a С.-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 С.-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С-Петербург, Россия
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Аннотация:
Представлены результаты исследований оптических характеристик структур цилиндрических вертикальных микрорезонаторов с AlGaAs распределенными брэгговскими отражателями и InAs/GaAs квантовыми точками, предназначенных для изготовления источников одиночных фотонов. Методом конечных разностей во временной области выполнено численное моделирование эффектов влияния на величину фактора Парселла и эффективности вывода излучения таких параметров, как наклон боковых стенок, частичное окисление AlGaAs слоев и отклонение расположения квантовых точек от центральной оси микрорезонатора, а также определены допустимые диапазоны реализации этих параметров, для цилиндрических вертикальных микрорезонаторов спектрального диапазона 920 нм. Сравнение результатов расчетов, выполненных с использованием уточненных значений показателей преломления используемых материалов при криогенных температурах, и измеренных характеристик изготовленных микрорезонаторных структур подтвердило адекватность используемых моделей.
Поступила в редакцию: 26.09.2022 Исправленный вариант: 26.09.2022 Принята в печать: 26.09.2022
Образец цитирования:
М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. В. Рахлин, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, С. И. Трошков, В. М. Устинов, А. А. Торопов, “Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 592–598; JETP Letters, 116:9 (2022), 613–618
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6789 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v116/i9/p592
|
|