Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1337–1345
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46595.17 (Mi phts5692) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток

Д. Г. Павельевa, А. П. Васильевb, В. А. Козловac, Е. С. Оболенскаяa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (654 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46595.17
Аннотация: Впервые теоретически и экспериментально исследована радиационная стойкость к гамма-нейтронному облучению ($\sim$1 МэВ) диодов на основе симметричных GaAs/AlAs 30-периодных сверхрешеток. В расчетах использованы модельные зонная диаграмма и эквивалентная схема исследуемой структуры. Расчеты проведены в квазигидродинамическом приближении с учетом разогрева исследуемых диодов протекающим током. Результаты расчетов ВАХ и предельных частот работы диодов до и после гамма-нейтронного облучения хорошо коррелируют с экспериментальными данными.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-07935
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.3854.2017/4.6
Работа поддержана грантами РФФИ № 15-02-07935 и МОН РФ (3.3854.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1448–1456
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110192
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1337–1345; Semiconductors, 52:11 (2018), 1448–1456
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavVasKoz18}
\by Д.~Г.~Павельев, А.~П.~Васильев, В.~А.~Козлов, Е.~С.~Оболенская
\paper Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1337--1345
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5692}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46595.17}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903610}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1448--1456
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110192}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5692
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1337
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024