Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом

Исследовано влияние латерального оптического ограничения на статические и спектральные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом (ЗТП)$n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин. Обнаружено, что в реализованных лазерах из-за относительно слабого оптического ограничения в латеральном направлении одномодовый режим генерации поддерживается при размерах мезы ЗТП вплоть до 8 $\mu$m, однако при размерах мезы ЗТП менее 7 $\mu$m возникает эффект насыщающегося поглотителя. Рост оптического ограничения за счет увеличения глубины травления туннельного перехода ведет к подавлению эффекта насыщающегося поглотителя при размерах мезы ЗТП 5–6 $\mu$m, но одновременно ограничивает максимальную оптическую мощность в одномодовом режиме лазерной генерации. По результатам анализа увеличение спектрального рассогласования максимума спектра усиления активной области и резонансной длины волны лазера до уровня $\sim$35–50 nm позволит подавить нежелательный эффект насыщающегося поглотителя в широком диапазоне размеров мез ЗТП при сохранении одномодового режима генерации.