Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Якимов Андрей Иннокентьевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 28
Научных статей: 28

Статистика просмотров:
Эта страница:196
Страницы публикаций:4525
Полные тексты:1652
Списки литературы:897
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person56414
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Обнаружение “медленного” света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом”, Письма в ЖЭТФ, 118:4 (2023),  240–244  mathnet; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Manifestation of “slow” light in the photocurrent spectra of Ge/Si quantum dot layers combined with a photonic crystal”, JETP Letters, 118:4 (2023), 244–248
2021
2. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  501–506  mathnet  elib; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Increase in the photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots by modes of a two-dimensional photonic crystal”, JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503  isi  scopus 4
3. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  596–601  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Effect of adhesive layers on photocurrent enhancement in near-infrared quantum-dot photodetectors coupled with metal-nanodisk arrays”, Semiconductors, 55:8 (2021), 654–659
2019
4. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля металлическими субволновыми решетками на кремнии в ближнем ИК-диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019),  393–399  mathnet  elib; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Plasmonic field enhancement by metallic subwave lattices on silicon in the near-infrared range”, JETP Letters, 110:6 (2019), 411–416  isi  scopus 4
5. А. А. Блошкин, А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  206–210  mathnet  elib; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, “Plasmon enhancement of the electric field in mid-infrared Ge/Si quantum-dot photodetectors with different thicknesses of the active region”, Semiconductors, 53:2 (2019), 195–199 1
2018
6. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, “Локализация поверхностных плазмонных волн в гибридных фотодетекторах с металлическими субволновыми решетками”, Письма в ЖЭТФ, 108:6 (2018),  399–403  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, “Localization of surface plasmon waves in hybrid photodetectors with subwavelength metallic arrays”, JETP Letters, 108:6 (2018), 374–378  isi  scopus
2017
7. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017),  419–423  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 105:7 (2017), 426–429  isi  scopus 1
8. А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, В. В. Мурашов, “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347  mathnet  elib; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov, “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents”, Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334 2
2016
9. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  507–511  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Enhancement of the hole photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots with abrupt heterointerfaces”, JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482  isi  scopus 1
2015
10. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015),  678–682  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 102:9 (2015), 594–598  isi  scopus 7
11. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015),  846–850  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753  isi  elib  scopus 9
2014
12. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский, “Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014),  99–103  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “Bidirectional photocurrent of holes in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 100:2 (2014), 91–94  isi  elib  scopus 3
2013
13. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, “Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe”, Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013),  180–184  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, “Intraband optical transitions of holes in strained SiGe quantum wells”, JETP Letters, 97:3 (2013), 159–162  isi  elib  scopus 3
2012
14. А. И. Якимов, “Электронная структура двойных квантовых точек Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012),  77–86  mathnet  elib; A. I. Yakimov, “Electronic structure of double Ge quantum dots in Si”, JETP Letters, 96:1 (2012), 75–83  isi  elib  scopus
2011
15. А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810  mathnet  elib; A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747  isi  elib  scopus 9
2010
16. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  43–46  mathnet  isi  scopus; JETP Letters, 92:1 (2010), 36–39  isi  scopus 2
2009
17. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  621–625  mathnet; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Excitons in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 90:8 (2009), 569–573  isi  scopus 15
2007
18. А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  549–552  mathnet; A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Bonding state of a hole in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481  isi  scopus 6
19. А. И. Якимов, Г. Ю. Михалёв, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007),  527–532  mathnet; A. I. Yakimov, G. Yu. Mikhalev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole states in artificial molecules formed by vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 85:9 (2007), 429–433  isi  scopus 7
2006
20. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев, “Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006),  189–194  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, “Binding of electron states in multilayer strained Ge/Si heterostructures with type-II quantum dots”, JETP Letters, 83:4 (2006), 156–161  isi  scopus 12
2004
21. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев, “Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004),  367–371  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, G. Yu. Mikhalev, “The Meyer – Neldel rule in the processes of thermal emission and hole capture in Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 80:5 (2004), 321–325  scopus 9
2003
22. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1077–1081  mathnet; N. P. Stepina, A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si”, JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591  scopus 2
23. А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, М. Н. Тимонова, “Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003),  276–280  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, M. N. Timonova, “Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots”, JETP Letters, 78:4 (2003), 241–245  scopus 3
24. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, “Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  445–449  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, “Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots”, JETP Letters, 77:7 (2003), 376–380  scopus 30
2002
25. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  113–117  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, “Barrier height and tunneling current in Schottky diodes with embedded layers of quantum dots”, JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106  scopus 4
2001
26. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001),  598–600  mathnet; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Spatial separation of electrons in Ge/Si(001) heterostructures with quantum dots”, JETP Letters, 73:10 (2001), 529–531  scopus 23
27. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, “Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками”, УФН, 171:12 (2001),  1371–1373  mathnet; A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov, “Quantum dot Ge/Si heterostructures”, Phys. Usp., 44:12 (2001), 1304–1307  isi 8
1988
28. А. В. Двуреченский, В. А. Дравин, А. И. Якимов, “Прыжковая проводимость в промежуточно легированных полупроводниках”, Физика твердого тела, 30:2 (1988),  401–406  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024