Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова

Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si$_{0.7-y}$Ge$_{0.3}$Sn$_{y}$/Si в диапазоне содержания олова $y$ = 0.04–0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного $\mathbf{kp}$-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si$_{0.7-y}$Ge$_{0.3}$Sn$_{y}$ в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si$_{0.7-y}$Ge$_{0.3}$Sn$_{y}$. Установлено, что зависимость экспериментальных значений разрыва валентных зон между псевдоморфными слоями Si$_{0.7-y}$Ge$_{0.3}$Sn$_{y}$ и Si от содержания олова описывается выражением $\Delta E_{V}^{\operatorname{exp}}$ = (0.21 $\pm$ 0.01)+(3.35 $\pm$ 7.8 $\cdot$ 10$^{-4})y$ эВ.