|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. В. Побат, В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Иванов, “Распределение дислокаций несоответствия и упругих механических напряжений в метаморфных буферных слоях InAlAs разной конструкции”, Физика твердого тела, 63:1 (2021), 85–90   ; D. V. Pobat, V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Ivanov, “Distribution of misfit dislocations and elastic mechanical stresses in metamorphic buffer InAlAs layers of various constructions”, Phys. Solid State, 63:1 (2021), 84–89 |
2
|
| 2. |
А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, И. Е. Спектор, К. И. Зайцев, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, Д. С. Пономарев, “Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах”, Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021), 741–746 ; A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, I. E. Spektor, K. I. Zaitsev, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, D. S. Ponomarev, “Photoconductive THz detector based on new functional layers in multi-layer heterostructures”, Optics and Spectroscopy, 129:8 (2021), 851–856 |
|
2020 |
| 3. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 285–291 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 |
4
|
|
2019 |
| 4. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки”, Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019), 297–302 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Stimulated emission at a wavelength of $2.86 \mu$m from In(Sb, As)/In(Ga, Al)As/GaAs metamorphic quantum wells under optical pumping”, JETP Letters, 110:5 (2019), 313–318   |
5
|
| 5. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 381–386 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Effect of strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a InAlAs buffer layer on the structural and optical properties of metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs quantum-confined heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 377–381 |
6
|
| 6. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Гусева, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 147–151 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. V. Sedova, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, Yu. A. Guseva, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Highly efficient semiconductor emitter of single photons in the red spectral range”, JETP Letters, 109:3 (2019), 145–149 |
5
|
| 7. |
V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1519 ; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 |
1
|
| 8. |
С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1152–1158 ; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 |
9
|
| 9. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 535–539 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. V. Nagorny, A. V. Danil'chik, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Stimulated emission, photoluminescence, and localisation of nonequilibrium charge carriers in ultrathin (monolayer) GaN/AlN quantum wells”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 535–539 ] |
4
|
|
2018 |
| 10. |
Т. Н. Михайлов, Е. А. Европейцев, К. Г. Беляев, А. А. Торопов, А. В. Родина, А. А. Головатенко, С. В. Иванов, Г. Позина, Т. В. Шубина, “Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe”, Физика твердого тела, 60:8 (2018), 1575–1579 ; T. N. Mikhailov, E. A. Evropeitsev, K. G. Belyaev, A. A. Toropov, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, S. V. Ivanov, G. Pozina, T. V. Shubina, “Förster energy transfer in arrays of epitaxial CdSe/ZnSe quantum dots involving bright and dark excitons”, Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1590–1594 |
3
|
| 11. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. С. Мухин, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 687–690 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 691–694 |
1
|
| 12. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, А. М. Можаров, И. С. Мухин, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 201–205 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, A. M. Mozharov, I. S. Mukhin, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emitter at 80 K based on a dielectric nanoantenna with a CdSe/ZnSe quantum dot”, JETP Letters, 108:3 (2018), 201–204 |
5
|
| 13. |
А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1663–1667 ; A. N. Semenov, D. V. Nechaev, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Features of the selective growth of GaN nanorods on patterned $c$-sapphire substrates of various configurations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1770–1774 |
3
|
| 14. |
V. N. Zhmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov, “Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 526 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 667–670 |
2
|
| 15. |
E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624 |
| 16. |
M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 480 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 511–513 |
| 17. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 127–132 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 |
8
|
| 18. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 33–41 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 |
4
|
| 19. |
С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 94–102 ; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, M. A. Yagovkina, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Nanoheterostructures with CdTe/Zn(Mg)(Se)Te quantum dots for single-photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 267–270 |
3
|
| 20. |
Т. А. Комиссарова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 42–49 ; T. A. Komissarova, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Spontaneous formation of indium clusters in InN epilayers grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 149–152 |
1
|
|
2017 |
| 21. |
Л. В. Котова, А. В. Платонов, В. П. Кочерешко, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, Л. Е. Голуб, “Интерференционное усиление конверсии поляризации света от структур с квантовой ямой”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2148–2153 ; L. V. Kotova, A. V. Platonov, V. P. Kochereshko, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, L. E. Golub, “The interference enhancement of light polarization conversion from structures with a quantum well”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2168–2173 |
4
|
| 22. |
В. П. Кочерешко, Л. В. Котова, И. С. Хахалин, R. T. Cox, H. Mariette, R. Andre, H. Bukari, С. В. Иванов, “Проявление $PT$-симметрии в экситонных спектрах квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1605–1609 ; V. P. Kochereshko, L. V. Kotova, I. S. Khakhalin, R. T. Cox, H. Mariette, R. Andre, H. Bukari, S. V. Ivanov, “Manifestation of $PT$ symmetry in the exciton spectra of quantum wells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1547–1551 |
| 23. |
Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 67–74 ; D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Stress generation and relaxation in (Al, Ga)N/6$H$-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446 |
3
|
| 24. |
Д. С. Золотухин, Д. В. Нечаев, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III–N методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:5 (2017), 60–67 ; D. S. Zolotukhin, D. V. Nechaev, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Monitoring of elastic stresses with optical system for measuring the substrate curvature in growth of III–N heterostructures by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:3 (2017), 262–266 |
10
|
|
2016 |
| 25. |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Фотоотражение антимонида индия”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2307–2313 ; O. S. Komkov, D. D. Firsov, T. V. L'vova, I. V. Sedova, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, “Photoreflectance of indium antimonide”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2394–2400 |
13
|
| 26. |
А. А. Торопов, Е. А. Шевченко, Т. В. Шубина, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, G. Pozina, С. В. Иванов, “Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2180–2185 ; A. A. Toropov, E. A. Shevchenko, T. V. Shubina, V. N. Zhmerik, D. V. Nechaev, G. Pozina, S. V. Ivanov, “AlGaN nanostructures with extremely high quantum yield at 300 K”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2261–2266 |
| 27. |
Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2175–2179 ; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 |
2
|
| 28. |
В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, С. И. Ченцов, Е. Е. Онищенко, В. С. Багаев, В. И. Козловский, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, “Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 108–113 ; V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, S. I. Chentsov, E. E. Onishchenko, V. S. Bagaev, V. I. Kozlovskii, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, S. V. Ivanov, “Isolated quantum emitters originating from defect centers in a ZnSe/ZnMgSSe heterostructure”, JETP Letters, 104:2 (2016), 110–115 |
8
|
| 29. |
С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, А. А. Торопов, И. С. Мухин, С. В. Иванов, “Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:24 (2016), 64–71 ; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, “Heterostructures with CdTe/ZnTe quantum dots for single photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1163–1166 |
3
|
| 30. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 33–39 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, D. D. Firsov, O. S. Komkov, S. V. Ivanov, “Metamorphic InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with submonolayer InSb insertions emitted in the mid-infrared spectral range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040 |
9
|
| 31. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
| 32. |
М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48 ; M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, A. E. Romanov, “Complex use of the diffraction techniques in depth profiling of the crystal lattice parameter and composition of InGaAs/GaAs gradient layers”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467 |
6
|
| 33. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 61–69 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “X-ray diffractometry of AlN/$c$-sapphire templates obtained by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 419–422 |
2
|
|
2013 |
| 34. |
Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422 [E. V. Lutsenko, A. G. Voinilovich, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, M. Alanzi, A. Hamidalddin, A. Alyamani, “Optically pumped quantum-dot Cd(Zn)Se/ZnSe laser and microchip converter for yellow–green spectral region”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422 ] |
13
|
|
2009 |
| 35. |
Т. В. Шубина, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. С. Копьев, “Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N”, УФН, 179:9 (2009), 1007–1012 ; T. V. Shubina, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, P. S. Kop'ev, “Plasmon effects in In(Ga)N nanostructures”, Phys. Usp., 52:9 (2009), 949–953 |
3
|
|
2008 |
| 36. |
С. В. Зайцев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, “Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008), 922–926 ; S. V. Zaitsev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, “Magnetooptics of (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe heterostructures with a small discontinuity in the valence band potential”, JETP Letters, 88:12 (2008), 802–806 |
2
|
| 37. |
P. G. Baranov, N. G. Romanov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, B. R. Namozov, Yu. G. Kusrayev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, “Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 724–728 ; JETP Letters, 88:9 (2009), 631–635 |
14
|
| 38. |
Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1097–1100 [E. N. Donskoi, E. V. Zhdanova, A. N. Zalyalov, M. M. Zverev, S. V. Ivanov, D. V. Peregoudov, O. N. Petrushin, Yu. A. Savel'ev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, M. D. Tarasov, Yu. S. Shigaev, “Excitation density distribution in electron-beam-pumped ZnSe semiconductor lasers”, Quantum Electron., 38:12 (2008), 1097–1100 ] |
4
|
|
2004 |
| 39. |
Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, П. С. Копьев, “Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов”, Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004), 674–679 ; Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, P. S. Kop'ev, “Effect of the spin-orbit interaction on the cyclotron resonance of two-dimensional electrons”, JETP Letters, 79:11 (2004), 545–549 |
5
|
| 40. |
М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 34:10 (2004), 909–911 [M. M. Zverev, D. V. Peregoudov, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Low-threshold electron-beam-pumped green quantum-well heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 34:10 (2004), 909–911 ] |
12
|
|
2002 |
| 41. |
S. A. Emel'yanov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002), 547–549 ; JETP Letters, 76:7 (2002), 469–471 |
1
|
| 42. |
А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002), 258–262 ; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226 |
2
|
| 43. |
Ю. Б. Васильев, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев, “Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода”, Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002), 463–466 ; Yu. B. Vasil'ev, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu. L. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures”, JETP Letters, 75:8 (2002), 391–394 |
1
|
|
1999 |
| 44. |
С. В. Иванов, П. С. Копьев, А. А. Торопов, “Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А<sup>2</sup>В<sup>6</sup>”, УФН, 169:4 (1999), 468–471 ; S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, A. A. Toropov, “Blue-green lasers based on short-period superlattices in II—VI compounds”, Phys. Usp., 42:4 (1999), 399–402 |
3
|
|
1996 |
| 45. |
В. И. Долинина, С. В. Иванов, И. Б. Ковш, А. Н. Кучеров, Н. К. Макашев, Б. А. Пеньков, Б. М. Урин, А. В. Шустов, “Моделирование генерационных характеристик и распространение излучения СО-лазерa с селектирующей ячейкой”, Квантовая электроника, 23:6 (1996), 521–526 [V. I. Dolinina, S. V. Ivanov, I. B. Kovsh, A. N. Kucherov, N. K. Makashev, B. A. Pen'kov, B. M. Urin, A. V. Shustov, “Simulation of the output characteristics and propagation of radiation from a CO laser with a selection cell”, Quantum Electron., 26:6 (1996), 506–511 ] |
| 46. |
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996), 423–428 ; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398 |
18
|
|
1994 |
| 47. |
С. В. Иванов, В. Я. Панченко, “Инфракрасная и микроволновая спектроскопия озона: исторический аспект”, УФН, 164:7 (1994), 725–742 ; S. V. Ivanov, V. Ya. Panchenko, “Infrared and microwave spectroscopy of ozone: historical aspects”, Phys. Usp., 37:7 (1994), 677–695 |
5
|
|
1992 |
| 48. |
Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs
на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1715–1722 |
|
1990 |
| 49. |
П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии
гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 717–719 |
| 50. |
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 361–363 |
| 51. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As
напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 359–361 |
| 52. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 201–203 |
| 53. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО
лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 152–158 |
|
1989 |
| 54. |
С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. Ю. Некрасов, А. Г. Пахомов, В. Н. Трухин, И. Д. Ярошецкий, “Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок
в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1564–1567 |
| 55. |
П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице
AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным
$\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 68–71 |
|
1988 |
| 56. |
Е. Л. Ивченко, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. А. Калитиевский, “Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной
квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 784–788 |
| 57. |
Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах
($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$,
$T=300$ K)
при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой
с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1803–1807 |
5
|
|
1986 |
| 58. |
Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 562–565 |
|
1985 |
| 59. |
Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные
слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985), 142–147 |
| 60. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах
$N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1199–1203 |
| 61. |
Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах
с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 715–721 |
|
1984 |
| 62. |
П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные
эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 270–274 |
|
|
|
2024 |
| 63. |
Е. Б. Александров, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, З. Ф. Красильник, Г. Я. Красников, А. Г. Литвак, О. В. Руденко, А. И. Рудской, М. В. Садовский, А. В. Чаплик, “Памяти Роберта Арнольдовича Суриса”, УФН, 194:6 (2024), 677–678 ; E. B. Aleksandrov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, Z. F. Krasil'nik, G. Ya. Krasnikov, A. G. Litvak, O. V. Rudenko, A. I. Rudskoi, M. V. Sadovskii, A. V. Chaplik, “In memory of Robert Arnol'dovich Suris”, Phys. Usp., 67:6 (2024), 631–633 |
|
2022 |
| 64. |
Е. Б. Александров, А. Ф. Андреев, Ю. М. Гальперин, Ю. В. Гуляев, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, А. А. Каплянский, Р. В. Парфеньев, Р. А. Сурис, Д. Е. Хмельницкий, И. А. Щербаков, “Памяти Вадима Львовича Гуревича”, УФН, 192:2 (2022), 229–230 ; E. B. Aleksandrov, A. F. Andreev, Yu. M. Gal'perin, Yu. V. Gulyaev, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, A. A. Kaplyanskii, R. V. Parfen'ev, R. A. Suris, D. E. Khmel'nitskii, I. A. Shcherbakov, “In memory of Vadim L'vovich Gurevich”, Phys. Usp., 65:2 (2022), 211–212 |
|
2021 |
| 65. |
Е. Б. Александров, А. Ф. Андреев, М. В. Архипов, В. Е. Захаров, Л. М. Зелёный, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, Л. П. Питаевский, М. В. Садовский, Р. А. Сурис, А. М. Шалагин, И. А. Щербаков, “Николай Николаевич Розанов (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 191:4 (2021), 445–446 ; E. B. Aleksandrov, A. F. Andreev, M. V. Arkhipov, V. E. Zakharov, L. M. Zelenyi, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, L. P. Pitaevskii, M. V. Sadovskii, R. A. Suris, A.M. Shalagin, I. A. Shcherbakov, “Nikolay Nikolaevich Rosanov (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 64:4 (2021), 420–421 |
|
2020 |
| 66. |
В. М. Агранович, Е. Б. Александров, С. Н. Багаев, И. В. Грехов, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, Б. В. Новиков, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков, “Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)”, УФН, 190:12 (2020), 1343–1344 ; V. M. Agranovich, E. B. Aleksandrov, S. N. Bagayev, I. V. Grekhov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, B. V. Novikov, R. A. Suris, V. B. Timofeev, I. A. Shcherbakov, “Aleksandr Aleksandrovich Kaplyanskii (on his 90th birthday)”, Phys. Usp., 63:12 (2020), 1264–1265 |
|
2019 |
| 67. |
В. И. Афанасьев, С. В. Бобашев, А. М. Быков, Ю. С. Гордеев, А. Г. Забродский, А. Н. Зиновьев, С. В. Иванов, А. А. Каплянский, М. Н. Панов, М. П. Петров, Р. А. Сурис, А. П. Шергин, “Памяти Вадима Васильевича Афросимова”, УФН, 189:8 (2019), 901–902 ; V. I. Afanas'ev, S. V. Bobashev, A. M. Bykov, Yu. S. Gordeev, A. G. Zabrodskii, A. N. Zinov'ev, S. V. Ivanov, A. A. Kaplyanskii, M. N. Panov, M. P. Petrov, R. A. Suris, A. P. Shergin, “In memory of Vadim Vasil'evich Afrosimov”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 841–842 |
| 68. |
А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, Е. П. Велихов, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, А. А. Каплянский, П. С. Копьев, Г. Я. Красников, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Памяти Жореса Ивановича Алферова”, УФН, 189:8 (2019), 899–900 ; A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, E. P. Velikhov, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, A. A. Kaplyanskii, P. S. Kop'ev, G. Ya. Krasnikov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “In memory of Zhores Ivanovich Alferov”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 839–840 |
|
1996 |
| 69. |
В. И. Долинина, С. В. Иванов, И. Б. Ковш, А. Н. Кучеров, Н. К. Макашев, Б. А. Пеньков, Б. М. Урин, А. В. Шустов, “Моделирование генерационных характеристик и распространение излучения СО-лазера с селектирующей ячейкой («Квантовая электроника», т.23, №6, 1996, с.521–526)”, Квантовая электроника, 23:11 (1996), 1056 |
|
Обратная связь: