Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства

Представлены результаты исследования структурных и оптических свойств двумерных (2D) слоев GaSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(001) и GaAs(112) при использовании источника Se с высокотемпературным разложителем и клапаном. Определено влияние параметров роста (температуры подложки, интенсивности потока атомов Ga, отношения падающих потоков Se/Ga) на морфологию поверхности выращенных слоев. С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что слои GaSe соответствуют политипу $\gamma$-GaSe. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено наличие включений фазы $\alpha$-Ga$_{2}$Se$_{3}$ в слоях GaSe, выращенных в условиях сильного обогащения поверхности роста селеном.