|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
М. В. Рахлинa, К. Г. Беляевa, С. В. Сорокинa, И. В. Седоваa, Д. А. Кириленкоa, А. М. Можаровb, И. С. Мухинbc, М. М. Кулагинаa, Ю. М. Задирановa, С. В. Ивановa, А. А. Тороповa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
b С.-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
c С.-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики,
197101 С.-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследованы излучательные характеристики источника одиночных фотонов, изготовленного на основе эпитаксиальной гетероструктуры с квантовыми точками CdSe/ZnSe и цилиндрического волновода с переменным сечением, сформированного в слое резиста методом электронной литографии. В условиях оптической накачки при $80$ K показана возможность генерации потока одиночных фотонов на длине волны $530$ нм со средней интенсивностью порядка $1$ МГц и значением корреляционной функции второго порядка при нулевой задержке ${g}^{(2)}(0)=0.15\pm0.03$.
Поступила в редакцию: 26.06.2018
Образец цитирования:
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, А. М. Можаров, И. С. Мухин, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 201–205; JETP Letters, 108:3 (2018), 201–204
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5670 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v108/i3/p201
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 168 | PDF полного текста: | 30 | Список литературы: | 27 | Первая страница: | 8 |
|