|
Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 10, страницы 909–911
(Mi qe2752)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Лазеры
Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур
М. М. Зверевa, Д. В. Перегудовb, И. В. Седоваc, С. В. Сорокинc, С. В. Ивановc, П. С. Копьевc a ФГПУ ГНЦ РФ – Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы параметры Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различной конструкцией активной области, излучающих в зеленом (λ = 494–555 нм) спектральном диапазоне при накачке электронным пучком с энергией 8–30 кэВ. Минимальная пороговая плотность тока (0.6–0.8 A/см2 при комнатной температуре) получена для структуры, активная область которой состояла из ZnSe-квантовой ямы с дробно-монослойной CdSe-вставкой.
Поступила в редакцию: 28.06.2004
Образец цитирования:
М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 34:10 (2004), 909–911 [Quantum Electron., 34:10 (2004), 909–911]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2752 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i10/p909
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 223 | PDF полного текста: | 101 | Первая страница: | 1 |
|