|
Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 6, страницы 535–539
(Mi qe17064)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'
Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
Е. В. Луценкоa, Н. В. Ржеуцкийa, А. В. Нагорныйa, А. В. Данильчикa, Д. В. Нечаевb, В. Н. Жмерикb, С. В. Ивановb a Институт физики НАН Беларуси, г. Минск
b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы стимулированное излучение и фотолюминесценция сверхтонких квантовых ям GaN с номинальной толщиной 1.5–2 монослоя (МС) и барьерными слоями AlN толщиной 4–6.66 МС, полученных с помощью плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках c-сапфира. Получено стимулированное излучение ТЕ поляризации в сверхтонких квантовых ямах GaN/AlN при накачке непосредственно в квантовые ямы. Длина волны стимулированного излучения варьировалась от 262 до 290 нм в зависимости от толщин ям и барьеров. Показано, что стимулированное излучение развивалось на локализованных состояниях GaN толщиной 2 и 3 МС в сверхтонких квантовых ямах с номинальной толщиной 1.5 и 2 МС соответственно. Минимальный порог возбуждения стимулированного излучения составил 700 кВт/см2 на λ = 270 нм.
Ключевые слова:
оптическая накачка, ультрафиолетовое стимулированное излучение, сверхтонкие квантовые ямы GaN/AlN, молекулярно-пучковая эпитаксия.
Поступила в редакцию: 04.04.2019
Образец цитирования:
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 535–539 [Quantum Electron., 49:6 (2019), 535–539]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17064 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i6/p535
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 195 | PDF полного текста: | 72 | Список литературы: | 26 | Первая страница: | 11 |
|