Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN

Исследованы стимулированное излучение и фотолюминесценция сверхтонких квантовых ям GaN с номинальной толщиной 1.5–2 монослоя (МС) и барьерными слоями AlN толщиной 4–6.66 МС, полученных с помощью плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках c-сапфира. Получено стимулированное излучение ТЕ поляризации в сверхтонких квантовых ямах GaN/AlN при накачке непосредственно в квантовые ямы. Длина волны стимулированного излучения варьировалась от 262 до 290 нм в зависимости от толщин ям и барьеров. Показано, что стимулированное излучение развивалось на локализованных состояниях GaN толщиной 2 и 3 МС в сверхтонких квантовых ямах с номинальной толщиной 1.5 и 2 МС соответственно. Минимальный порог возбуждения стимулированного излучения составил 700 кВт/см2 на λ = 270 нм.