|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы in situ генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$N/GaN/AlN общей толщиной более 3 $\mu$m в процессе ее роста на подложке 6$H$-SiC методом низкотемпературной плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при температурах подложки 690–740$^\circ$C. При комнатной температуре слои AlN и GaN показали остаточные сжимающие напряжения величиной -2.3 и -0.1 GPa соответственно, что позволило исключить растрескивание структуры при ее постростовом остывании.
Поступила в редакцию: 13.12.2016
Образец цитирования:
Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 67–74; Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5930 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i9/p67
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 13 |
|