Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 9, страницы 40–48 (Mi pjtf6429)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs

М. В. Байдаковаab, Д. А. Кириленкоab, А. А. Ситниковаa, М. А. Яговкинаa, Г. В. Климкоa, С. В. Сорокинa, И. В. Седоваa, С. В. Ивановa, А. Е. Романовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: Предложен метод диагностики толстых (1 $\mu$m и более) градиентных слоев с переменным составом и степенью релаксации по глубине слоя, основанный на анализе карт рассеянной рентгеновской интенсивности в обратном пространстве в сопоставлении с профилированием параметров кристаллической решетки по глубине методом электронной микродифракции. Информативность предложенной диагностики продемонстрирована на примере слоя In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs с линейным изменением $x$ по глубине. Комплексное представление дифракционных данных в виде профилированной по глубине карты обратного пространства позволяет учесть дополнительную релаксацию, возникающую при утонении образцов для электронно-микроскопических исследований.
Поступила в редакцию: 21.10.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 5, Pages 464–467
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016050023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiKirSit16}
\by М.~В.~Байдакова, Д.~А.~Кириленко, А.~А.~Ситникова, М.~А.~Яговкина, Г.~В.~Климко, С.~В.~Сорокин, И.~В.~Седова, С.~В.~Иванов, А.~Е.~Романов
\paper Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 9
\pages 40--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6429}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368191}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 5
\pages 464--467
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016050023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6429
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i9/p40
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024