|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 9, страницы 40–48
(Mi pjtf6429)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
М. В. Байдаковаab, Д. А. Кириленкоab, А. А. Ситниковаa, М. А. Яговкинаa, Г. В. Климкоa, С. В. Сорокинa, И. В. Седоваa, С. В. Ивановa, А. Е. Романовab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Предложен метод диагностики толстых (1 $\mu$m и более) градиентных слоев с переменным составом и степенью релаксации по глубине слоя, основанный на анализе карт рассеянной рентгеновской интенсивности в обратном пространстве в сопоставлении с профилированием параметров кристаллической решетки по глубине методом электронной микродифракции. Информативность предложенной диагностики продемонстрирована на примере слоя In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs с линейным изменением $x$ по глубине. Комплексное представление дифракционных данных в виде профилированной по глубине карты обратного пространства позволяет учесть дополнительную релаксацию, возникающую при утонении образцов для электронно-микроскопических исследований.
Поступила в редакцию: 21.10.2015
Образец цитирования:
М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6429 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i9/p40
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 7 |
|