|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 8, страницы 61–69
(Mi pjtf6445)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методами рентгеновской дифрактометрии изучены темплейты AlN/$c$-сапфир, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией. Продемонстрированы преимущества крупнозернистых нуклеационных слоев AlN, полученных с помощью высокотемпературной (780$^\circ$С) эпитаксии с повышенной миграцией ЭПМ адатомов. Использование 3.5-nm вставок GaN (при их 3D-росте в N-обогащенных условиях) позволило получить темплейты с незначительными остаточными макронапряжениями и относительно узкими полуширинами (FWHM) кривых дифракционного отражения 0002 и 10$\bar1$5.
Поступила в редакцию: 26.11.2015
Образец цитирования:
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 61–69; Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 419–422
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6445 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i8/p61
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 11 |
|