Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 8, страницы 61–69 (Mi pjtf6445)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (313 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии изучены темплейты AlN/$c$-сапфир, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией. Продемонстрированы преимущества крупнозернистых нуклеационных слоев AlN, полученных с помощью высокотемпературной (780$^\circ$С) эпитаксии с повышенной миграцией ЭПМ адатомов. Использование 3.5-nm вставок GaN (при их 3D-росте в N-обогащенных условиях) позволило получить темплейты с незначительными остаточными макронапряжениями и относительно узкими полуширинами (FWHM) кривых дифракционного отражения 0002 и 10$\bar1$5.
Поступила в редакцию: 26.11.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 4, Pages 419–422
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016040234
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 61–69; Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 419–422
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RatNecZhm16}
\by В.~В.~Ратников, Д.~В.~Нечаев, В.~Н.~Жмерик, С.~В.~Иванов
\paper Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 8
\pages 61--69
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6445}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368180}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 4
\pages 419--422
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016040234}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6445
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i8/p61
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024