Typesetting math: 100%
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2307–2313 (Mi ftt9733)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Полупроводники

Фотоотражение антимонида индия

О. С. Комковa, Д. Д. Фирсовa, Т. В. Львоваb, И. В. Седоваb, А. Н. Семеновb, В. А. Соловьевb, С. В. Ивановb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв n-InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках n+-InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отмечено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв n-InSb в 1M водном растворе Na2S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na2S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях n-InSb.
Поступила в редакцию: 11.05.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 12, Pages 2394–2400
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416120106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Фотоотражение антимонида индия”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2307–2313; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2394–2400
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KomFirLvo16}
\by О.~С.~Комков, Д.~Д.~Фирсов, Т.~В.~Львова, И.~В.~Седова, А.~Н.~Семенов, В.~А.~Соловьев, С.~В.~Иванов
\paper Фотоотражение антимонида индия
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 12
\pages 2307--2313
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9733}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368844}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 12
\pages 2394--2400
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416120106}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9733
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2307
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    1. I. Sh. Khasanov, V. V. Gerasimov, O. E. Kameshkov, A. K. Nikitin, V. V. Kassandrov, “Observation of Surface Plasmon Resonance in Monochromatic Terahertz Radiation on Indium Antimonide”, J. Surf. Investig., 17:5 (2023), 1052  crossref
    2. Dmitrii D. Firsov, Semyon A. Khakhulin, Oleg S. Komkov, “Fourier Transform Infrared Reflection Anisotropy Spectroscopy of Semiconductor Crystals and Structures: Development and Application in the Mid-Infrared”, Appl Spectrosc, 77:5 (2023), 470  crossref
    3. О. С. Комков, “Инфракрасное фотоотражение полупроводниковых материалов A3B5 (Обзор)”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 991–1014  mathnet  crossref; O. S. Komkov, “Infrared photoreflectance of III–V semiconductor materials (review)”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1181–1204  mathnet  crossref
    4. Б. Х. Байрамов, “Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое n-GaP, выращенном на подложке (001)n-GaP”, Физика твердого тела, 63:2 (2021), 213–217  mathnet  crossref; B. Kh. Bairamov, “Resonant light scattering by optical phonons in a homoepitxial n-GaP nanolayer grown on a (001)n-GaP substrate”, Phys. Solid State, 63:2 (2021), 237–241  mathnet  crossref
    5. Б. Х. Байрамов, В. В. Топоров, Ф. Б. Байрамов, “Оптическая характеризация структурных и электрических свойств нанослоев n-GaP, выращенных на проводящих подложках (001) n-GaP”, Физика твердого тела, 63:1 (2021), 80–84  mathnet  crossref; B. Kh. Bairamov, V. V. Toporov, F. B. Bairamov, “Optical characterization of the structural and electrical properties of the n-GaP nanolayers grown on conductive (001) n-GaP substrates”, Phys. Solid State, 63:1 (2021), 79–83  mathnet  crossref
    6. D D Firsov, M Yu Chernov, V A Solov'ev, O S Komkov, “Characterization of In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic heterostructures for mid-IR emitters by FTIR photoreflectance spectroscopy”, J. Phys.: Conf. Ser., 2086:1 (2021), 012140  crossref
    7. A O Mihin, D D Firsov, O S Komkov, “Investigation of energy transitions in MoS2 by photoreflectance spectroscopy method”, J. Phys.: Conf. Ser., 1695:1 (2020), 012111  crossref
    8. В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 381–386  mathnet  crossref  elib; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Effect of strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a InAlAs buffer layer on the structural and optical properties of metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs quantum-confined heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 377–381  crossref  isi
    9. Oleg S. Komkov, Dmitrii D. Firsov, Aleksey D. Andreev, Mikhail Yu. Chernov, Victor A. Solov'ev, Sergey V. Ivanov, “Peculiarities of the energy spectrum of InSb/InAs/InGaAs/InAlAs/GaAs nanoheterostructures revealed by room temperature photomodulation FTIR spectroscopy”, Jpn. J. Appl. Phys., 58:5 (2019), 050923  crossref
    10. D. D. Firsov, O. S. Komkov, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, “Infrared photoreflectance of InSb-based two-dimensional nanostructures”, J. Opt. Soc. Am. B, 36:4 (2019), 910  crossref
    11. Katarzyna E. Hnida, Mateusz Marzec, Ewelina Wlaźlak, Damian Chlebda, Konrad Szaciłowski, Dominika Gilek, Grzegorz D. Sulka, Marek Przybylski, “Influence of pulse frequency on physicochemical properties of InSb films obtained via electrodeposition”, Electrochimica Acta, 304 (2019), 396  crossref
    12. V D Goryacheva, M S Mironova, O S Komkov, “Investigation of GaAs/AlGaAs superlattice by photoreflectance method”, J. Phys.: Conf. Ser., 1038 (2018), 012124  crossref
    13. D D Firsov, O S Komkov, V A Solov'ev, A N Semenov, S V Ivanov, “FTIR photoreflectance of narrow-gap heterostructures based on AlxIn1-xSb alloys”, J. Phys.: Conf. Ser., 917 (2017), 062025  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025