О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Фотоотражение антимонида индия”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2307–2313; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2394

Физика твердого тела

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2307–2313 (Mi ftt9733)

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Полупроводники

Фотоотражение антимонида индия

О. С. Комков^a, Д. Д. Фирсов^a, Т. В. Львова^b, И. В. Седова^b, А. Н. Семенов^b, В. А. Соловьев^b, С. В. Иванов^b

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (310 kB) Список цитирования (13)

Аннотация: Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв

n

$n$ -InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках

n^{+}

$n^{+}$ -InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отмечено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв

n

$n$ -InSb в 1M водном растворе Na

_{2}

$_{2}$ S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na

_{2}

$_{2}$ S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях

n

$n$ -InSb.

Поступила в редакцию: 11.05.2016

Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 12, Pages 2394–2400
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416120106

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Фотоотражение антимонида индия”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2307–2313; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2394–2400

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{KomFirLvo16}

\by О.~С.~Комков, Д.~Д.~Фирсов, Т.~В.~Львова, И.~В.~Седова, А.~Н.~Семенов, В.~А.~Соловьев, С.~В.~Иванов

\paper Фотоотражение антимонида индия

\jour Физика твердого тела

\yr 2016

\vol 58

\issue 12

\pages 2307--2313

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9733}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368844}

\transl

\jour Phys. Solid State

\yr 2016

\vol 58

\issue 12

\pages 2394--2400

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416120106}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ftt9733

https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2307

Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:

I. Sh. Khasanov, V. V. Gerasimov, O. E. Kameshkov, A. K. Nikitin, V. V. Kassandrov, “Observation of Surface Plasmon Resonance in Monochromatic Terahertz Radiation on Indium Antimonide”, J. Surf. Investig., 17:5 (2023), 1052
Dmitrii D. Firsov, Semyon A. Khakhulin, Oleg S. Komkov, “Fourier Transform Infrared Reflection Anisotropy Spectroscopy of Semiconductor Crystals and Structures: Development and Application in the Mid-Infrared”, Appl Spectrosc, 77:5 (2023), 470
О. С. Комков, “Инфракрасное фотоотражение полупроводниковых материалов A$^{3}$B$^{5}$ (Обзор)”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 991–1014 ; O. S. Komkov, “Infrared photoreflectance of III–V semiconductor materials (review)”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1181–1204
Б. Х. Байрамов, “Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое $n$-GaP, выращенном на подложке (001)$n$-GaP”, Физика твердого тела, 63:2 (2021), 213–217 ; B. Kh. Bairamov, “Resonant light scattering by optical phonons in a homoepitxial $n$-GaP nanolayer grown on a (001)$n$-GaP substrate”, Phys. Solid State, 63:2 (2021), 237–241
Б. Х. Байрамов, В. В. Топоров, Ф. Б. Байрамов, “Оптическая характеризация структурных и электрических свойств нанослоев $n$-GaP, выращенных на проводящих подложках (001) $n$-GaP”, Физика твердого тела, 63:1 (2021), 80–84 ; B. Kh. Bairamov, V. V. Toporov, F. B. Bairamov, “Optical characterization of the structural and electrical properties of the $n$-GaP nanolayers grown on conductive (001) $n$-GaP substrates”, Phys. Solid State, 63:1 (2021), 79–83
D D Firsov, M Yu Chernov, V A Solov'ev, O S Komkov, “Characterization of In(Ga,Al)As/GaAs metamorphic heterostructures for mid-IR emitters by FTIR photoreflectance spectroscopy”, J. Phys.: Conf. Ser., 2086:1 (2021), 012140
A O Mihin, D D Firsov, O S Komkov, “Investigation of energy transitions in MoS2 by photoreflectance spectroscopy method”, J. Phys.: Conf. Ser., 1695:1 (2020), 012111
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, “Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 381–386 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, “Effect of strongly mismatched GaAs and InAs inserts in a InAlAs buffer layer on the structural and optical properties of metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs quantum-confined heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 377–381
Oleg S. Komkov, Dmitrii D. Firsov, Aleksey D. Andreev, Mikhail Yu. Chernov, Victor A. Solov'ev, Sergey V. Ivanov, “Peculiarities of the energy spectrum of InSb/InAs/InGaAs/InAlAs/GaAs nanoheterostructures revealed by room temperature photomodulation FTIR spectroscopy”, Jpn. J. Appl. Phys., 58:5 (2019), 050923
D. D. Firsov, O. S. Komkov, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, “Infrared photoreflectance of InSb-based two-dimensional nanostructures”, J. Opt. Soc. Am. B, 36:4 (2019), 910
Katarzyna E. Hnida, Mateusz Marzec, Ewelina Wlaźlak, Damian Chlebda, Konrad Szaciłowski, Dominika Gilek, Grzegorz D. Sulka, Marek Przybylski, “Influence of pulse frequency on physicochemical properties of InSb films obtained via electrodeposition”, Electrochimica Acta, 304 (2019), 396
V D Goryacheva, M S Mironova, O S Komkov, “Investigation of GaAs/AlGaAs superlattice by photoreflectance method”, J. Phys.: Conf. Ser., 1038 (2018), 012124
D D Firsov, O S Komkov, V A Solov'ev, A N Semenov, S V Ivanov, “FTIR photoreflectance of narrow-gap heterostructures based on AlxIn1-xSb alloys”, J. Phys.: Conf. Ser., 917 (2017), 062025

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	63
PDF полного текста:	29

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы