Фотоотражение антимонида индия

Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв $n$-InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках $n^{+}$-InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отмечено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв $n$-InSb в 1M водном растворе Na$_{2}$S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na$_{2}$S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях $n$-InSb.