|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 20, страницы 33–39
(Mi pjtf6278)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
В. А. Соловьевa, М. Ю. Черновa, Б. Я. Мельцерa, А. Н. Семеновa, Я. В. Терентьевa, Д. Д. Фирсовb, О. С. Комковb, С. В. Ивановa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Впервые получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) с использованием градиентного буферного слоя InAlAs метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs с субмонослойной вставкой InSb. Данные наногетероструктуры характеризуются интенсивной фотолюминесценцией с длиной волны более 3 $\mu$m (80 K), сдвинутой в длинноволновую область спектра по сравнению с линией излучения от структур без вставки InSb.
Поступила в редакцию: 01.06.2016
Образец цитирования:
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 33–39; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6278 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i20/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 17 |
|