Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 20, страницы 33–39 (Mi pjtf6278)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне

В. А. Соловьевa, М. Ю. Черновa, Б. Я. Мельцерa, А. Н. Семеновa, Я. В. Терентьевa, Д. Д. Фирсовb, О. С. Комковb, С. В. Ивановa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (335 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Впервые получены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) с использованием градиентного буферного слоя InAlAs метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs с субмонослойной вставкой InSb. Данные наногетероструктуры характеризуются интенсивной фотолюминесценцией с длиной волны более 3 $\mu$m (80 K), сдвинутой в длинноволновую область спектра по сравнению с линией излучения от структур без вставки InSb.
Поступила в редакцию: 01.06.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 10, Pages 1038–1040
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016100266
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 33–39; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SolCheMel16}
\by В.~А.~Соловьев, М.~Ю.~Чернов, Б.~Я.~Мельцер, А.~Н.~Семенов, Я.~В.~Терентьев, Д.~Д.~Фирсов, О.~С.~Комков, С.~В.~Иванов
\paper Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 20
\pages 33--39
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6278}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368345}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 10
\pages 1038--1040
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016100266}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6278
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i20/p33
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024