Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 24, страницы 64–71 (Mi pjtf6240)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

С. В. Сорокинa, И. В. Седоваa, С. В. Гронинa, К. Г. Беляевa, М. В. Рахлинa, А. А. Тороповa, И. С. Мухинbc, С. В. Ивановa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (159 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Представлены результаты по молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/ZnTe с достаточно низкой поверхностной плотностью, позволяющей их использование в качестве однофотонных излучателей. КТ формировались в результате осаждения на поверхность напряженного двумерного (2D) слоя CdTe толщиной 3.1–4.5 монослоев слоя аморфного Te и его последующей быстрой термической десорбции. Показано, что проведение последующего термического отжига поверхности с КТ в отсутствие внешнего потока Те приводит к сильному уширению и смещению в коротковолновую сторону пика фотолюминесценции (ФЛ) КТ. Измерение спектров микро-ФЛ одиночных КТ CdTe/ZnТе в изготовленных мезаструктурах диаметром 200–1000 nm позволило оценить поверхностную плотность КТ как $\sim$10$^{10}$ cm$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 12.07.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 12, Pages 1163–1166
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016120221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, А. А. Торопов, И. С. Мухин, С. В. Иванов, “Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:24 (2016), 64–71; Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1163–1166
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SorSedGro16}
\by С.~В.~Сорокин, И.~В.~Седова, С.~В.~Гронин, К.~Г.~Беляев, М.~В.~Рахлин, А.~А.~Торопов, И.~С.~Мухин, С.~В.~Иванов
\paper Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 24
\pages 64--71
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6240}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368390}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 12
\pages 1163--1166
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016120221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6240
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i24/p64
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024