|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Выполнены исследования фотовольтаических характеристик гетероструктурных $p$–$i$–$n$-фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Достигнуты значения КПД 50% при преобразовании монохроматического излучения в фотовольтаическом режиме работы с плотностью мощности до 200 W/сm$^{2}$ на длине волны $\lambda$ = 830 nm. Показана связь между “токами насыщения” для диффузионного механизма токопрохождения (Шокли) в $p$–$i$–$n$-фотодиодах, рассчитанными из темновых вольт-амперных характеристик, и полученными экспериментальными значениями КПД. При увеличении на порядок величины “тока насыщения” диффузионного механизма токопрохождения наблюдается относительное снижение КПД от максимального значения на величину более 10% при возбуждении постоянным и импульсным монохроматическими излучениями.
Поступила в редакцию: 24.07.2018
Образец цитирования:
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 33–41; Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5635 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i22/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 8 |
|