Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs

Выполнены исследования фотовольтаических характеристик гетероструктурных $p$–$i$–$n$-фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Достигнуты значения КПД 50% при преобразовании монохроматического излучения в фотовольтаическом режиме работы с плотностью мощности до 200 W/сm$^{2}$ на длине волны $\lambda$ = 830 nm. Показана связь между “токами насыщения” для диффузионного механизма токопрохождения (Шокли) в $p$–$i$–$n$-фотодиодах, рассчитанными из темновых вольт-амперных характеристик, и полученными экспериментальными значениями КПД. При увеличении на порядок величины “тока насыщения” диффузионного механизма токопрохождения наблюдается относительное снижение КПД от максимального значения на величину более 10% при возбуждении постоянным и импульсным монохроматическими излучениями.