Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422 [Quantum Electron., 43:5 (2013), 418

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 5, страницы 418–422 (Mi qe15164)

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Полупроводниковые лазеры. Физика и технология

Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра

Е. В. Луценко^a, А. Г. Войнилович^a, Н. В. Ржеуцкий^a, В. Н. Павловский^a, Г. П. Яблонский^a, С. В. Сорокин^b, С. В. Гронин^b, И. В. Седова^b, П. С. Копьев^b, С. В. Иванов^b, М. Аланзи^c, А. Хамидалддин^c, А. Альямани^c

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
^c KACST, National Nanotechnology Center, Riyadh, Saudi Arabia

PDF полного текста (1081 kB) Список цитирования (13)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Получена генерация в лазере на основе гетероструктур с квантовыми точками Cd(Zn)Se/ZnSe в желто-зеленом (λ = 558.5 – 566.7 нм) спектральном диапазоне при оптической накачке излучением импульсного азотного лазера при комнатной температуре. Максимальная длина волны генерации λ = 566.7 нм была достигнута при длине резонатора лазера 945 мкм. Большие значения выходной импульсной мощности (до 50 Вт) и внешней дифференциальной квантовой эффективности (~59 %) получены при длине резонатора 435 мкм. Высокое лазерное качество гетероструктуры и низкий порог генерации (~2 кВт/см²) позволили осуществить ее импульсную накачку излучением лазерного InGaN-диода. Созданный на основе данной гетероструктуры лазерный микрочип-конвертер имеет максимальную импульсную мощность ~90 мВт при λ = 560 нм. Вся конструкция микрочипа-конвертера была размещена в стандартном корпусе лазерного диода ТО-18 (диаметр 5.6 мм).

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, лазерный конвертер, оптическая накачка, генерация в желто-зеленом спектральном диапазоне.

Поступила в редакцию: 27.02.2013

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 5, Pages 418–422
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n05ABEH015164

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 78.67.Hc, 42.60.Jf

Образец цитирования: Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422 [Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe15164

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i5/p418

Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	363
PDF полного текста:	130
Список литературы:	41
Первая страница:	6

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы