Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1097–1100 [Quantum Electron., 38:12 (2008), 1097

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 12, страницы 1097–1100 (Mi qe13848)

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Активные среды

Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком

Е. Н. Донской^a, Е. В. Жданова^b, А. Н. Залялов^a, М. М. Зверев^b, С. В. Иванов^c, Д. В. Перегудов^b, О. Н. Петрушин^a, Ю. А. Савельев^a, И. В. Седова^c, С. В. Сорокин^c, М. Д. Тарасов^a, Ю. С. Шигаев^a

^a ФГУП «Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ», г. Саров, Нижегородская обл.
^b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (140 kB) Список цитирования (4)

Аннотация: Методом Монте-Карло раcсчитано пространственное распределение плотности поглощенной энергии в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe при возбуждении электронами с энергией от 2 кэВ до 1 МэВ. Приведены приближенные аналитические выражения для определения поглощенной энергии электронов в ZnSe. Экспериментально определен порог по мощности накачки в полупроводниковой квантоворазмерной структуре на основе ZnSe. Дана оценка порога генерации в подобных структурах в зависимости от энергии электронов.

Поступила в редакцию: 05.03.2008
Исправленный вариант: 12.08.2008

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, Volume 38, Issue 12, Pages 1097–1100
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2008v038n12ABEH013848

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr

Образец цитирования: Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1097–1100 [Quantum Electron., 38:12 (2008), 1097–1100]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe13848

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i12/p1097

Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	171
PDF полного текста:	89
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы