|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 12, страницы 1097–1100
(Mi qe13848)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Активные среды
Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком
Е. Н. Донскойa, Е. В. Ждановаb, А. Н. Заляловa, М. М. Зверевb, С. В. Ивановc, Д. В. Перегудовb, О. Н. Петрушинa, Ю. А. Савельевa, И. В. Седоваc, С. В. Сорокинc, М. Д. Тарасовa, Ю. С. Шигаевa a ФГУП «Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ», г. Саров, Нижегородская обл.
b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом Монте-Карло раcсчитано пространственное распределение плотности поглощенной энергии в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe при возбуждении электронами с энергией от 2 кэВ до 1 МэВ. Приведены приближенные аналитические выражения для определения поглощенной энергии электронов в ZnSe. Экспериментально определен порог по мощности накачки в полупроводниковой квантоворазмерной структуре на основе ZnSe. Дана оценка порога генерации в подобных структурах в зависимости от энергии электронов.
Поступила в редакцию: 05.03.2008 Исправленный вариант: 12.08.2008
Образец цитирования:
Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1097–1100 [Quantum Electron., 38:12 (2008), 1097–1100]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13848 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i12/p1097
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 171 | PDF полного текста: | 89 | Первая страница: | 1 |
|