|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты оптимизации конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с большим содержанием In ($x$ = 0.05–0.83), получаемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001), с целью улучшения морфологических характеристик его поверхности и структурных свойств, а также снижения приповерхностной плотности прорастающих дислокаций. Наименьшие значения величины шероховатости поверхностного рельефа RMS = 2.3 нм (на площади 10 $\times$ 10 мкм) и плотности прорастающих дислокаций 5 $\cdot$ 10$^{7}$ см$^{-2}$ получены в образцах, содержащих метаморфный буферный слой с корневым профилем изменения состава по толщине.
Поступила в редакцию: 26.04.2017 Принята в печать: 10.05.2017
Образец цитирования:
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 127–132; Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5953 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p127
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 25 |
|