Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs

Представлены результаты исследования излучательных характеристик гетероструктур с квантовыми точками (КТ) InAs/AlGaAs, выращенных с помощью молекулярно пучковой эпитаксии. Свойства одиночных КТ определялись с помощью спектроскопии микро-фотолюминесценции в цилиндрических мезаструктурах диаметром 200–1000 nm или колончатых микрорезонаторах с распределенными брэгговскими зеркалами. Однофотонный характер излучения подтвержден измерениями и анализом корреляционной функции второго порядка $g^{2}(\tau)$ в широком спектральном диапазоне от 630 до 730 nm.