|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs
М. В. Рахлинa, К. Г. Беляевa, Г. В. Климкоa, И. С. Мухинbc, С. В. Ивановa, А. А. Тороповa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Представлены результаты исследования излучательных характеристик гетероструктур с квантовыми точками (КТ) InAs/AlGaAs, выращенных с помощью молекулярно пучковой эпитаксии. Свойства одиночных КТ определялись с помощью спектроскопии микро-фотолюминесценции в цилиндрических мезаструктурах диаметром 200–1000 nm или колончатых микрорезонаторах с распределенными брэгговскими зеркалами. Однофотонный характер излучения подтвержден измерениями и анализом корреляционной функции второго порядка $g^{2}(\tau)$ в широком спектральном диапазоне от 630 до 730 nm.
Поступила в редакцию: 02.11.2017
Образец цитирования:
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. С. Мухин, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 687–690; Phys. Solid State, 60:4 (2018), 691–694
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9229 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i4/p687
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 17 |
|