|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследования технологии выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InAs(001), конструкции и люминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/Zn(Mg)(Se)Te. Приведены результаты рентгеноструктурных исследований короткопериодных сверхрешеток ZnTe/MgTe/MgSe, используемых в качестве широкозонных барьеров в структурах с КТ CdTe/ZnTe для эффективного ограничения дырок. Показано, что при конструировании данных сверхрешеток необходимо учитывать замещение атомов Te селеном на гетероинтерфейсах MgSe/ZnTe и MgTe/MgSe. В гетероструктурах с КТ CdTe/Zn(Mg)(Se)Te продемонстрирована фотолюминесценция КТ вплоть до 300 K. Спектры микрофотолюминесценции при $T$ = 10 K демонстрируют набор линий от одиночных КТ CdTe/ZnТе, при этом поверхностная плотность КТ может быть оценена как $\sim$10$^{10}$ cm$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 12.10.2017
Образец цитирования:
С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 94–102; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 267–270
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5861 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i6/p94
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 7 |
|