Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 6, страницы 94–102
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45772.17075 (Mi pjtf5861) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (561 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45772.17075
Аннотация: Представлены результаты исследования технологии выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InAs(001), конструкции и люминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/Zn(Mg)(Se)Te. Приведены результаты рентгеноструктурных исследований короткопериодных сверхрешеток ZnTe/MgTe/MgSe, используемых в качестве широкозонных барьеров в структурах с КТ CdTe/ZnTe для эффективного ограничения дырок. Показано, что при конструировании данных сверхрешеток необходимо учитывать замещение атомов Te селеном на гетероинтерфейсах MgSe/ZnTe и MgTe/MgSe. В гетероструктурах с КТ CdTe/Zn(Mg)(Se)Te продемонстрирована фотолюминесценция КТ вплоть до 300 K. Спектры микрофотолюминесценции при $T$ = 10 K демонстрируют набор линий от одиночных КТ CdTe/ZnТе, при этом поверхностная плотность КТ может быть оценена как $\sim$10$^{10}$ cm$^{-2}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00107
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.621.21.0013
Работа выполнена при поддержке РНФ (проект № 14-22-00107). РД- и ПЭМ-измерения выполнены с использованием оборудования Центра коллективного пользования “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях” при частичной финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение № 14.621.21.0013 от 28.08.2017 г., идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 12.10.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 3, Pages 267–270
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018030264
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 94–102; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 267–270
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SorSedBel18}
\by С.~В.~Сорокин, И.~В.~Седова, К.~Г.~Беляев, М.~В.~Рахлин, М.~А.~Яговкина, А.~А.~Торопов, С.~В.~Иванов
\paper Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 6
\pages 94--102
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5861}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45772.17075}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740241}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 3
\pages 267--270
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018030264}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5861
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i6/p94
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024