|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Т. А. Комиссарова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Изучены зависимости количества спонтанно формируемых кластеров металлического In в слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (ПА МПЭ), от условий их роста. Исследованы N- и In-полярные слои InN, выращенные соответственно на подложках с-сапфира и темплейтах GaN и AlN. N-полярные образцы InN выращивались в стандартном режиме ПА МПЭ, для роста In-полярных слоев использовался трехстадийный режим, включающий стадии эпитаксии с повышенной миграцией атомов и метод прерывания роста под потоком азота. Для разных образцов варьировались значения температуры роста и соотношения потоков In/N. С помощью измерения и аппроксимации магнитополевых зависимостей коэффициента Холла определены величины процентного содержания кластеров In в различных слоях InN и минимальное количество металлических включений, которое может быть достигнуто варьированием условий роста.
Поступила в редакцию: 12.10.2017
Образец цитирования:
Т. А. Комиссарова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 42–49; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 149–152
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5880 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i4/p42
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 8 |
|