|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. И. Галимов, М. В. Рахлин, Г. В. Климко, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Гусева, С. И. Трошков, Т. В. Шубина, А. А. Торопов, “Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений”, Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021), 248–255   ; A. I. Galimov, M. V. Rakhlin, G. V. Klimko, Yu. M. Zadiranov, Yu. A. Guseva, S. I. Troshkov, T. V. Shubina, A. A. Toropov, “Source of indistinguishable single photons based on epitaxial InAs/GaAs quantum dots for integration in quantum computing schemes”, JETP Letters, 113:4 (2021), 252–258   |
10
|
| 2. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, Ю. М. Задиранов, П. В. Покровский, А. А. Блохин, А. В. Андреева, “Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1086–1090 |
| 3. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, Ю. М. Задиранов, “Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 |
2
|
| 4. |
В. Ю. Мыльников, Д. В. Чистяков, С. Х. Абдулразак, Н. Г. Дерягин, Ю. М. Задиранов, С. Н. Лосев, В. В. Дюделев, Г. С. Соколовский, “Период капельного квазибесселева пучка, генерируемого аксиконом со скругленной вершиной”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 48–51 |
| 5. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 14–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Plasmachemical and wet etching in the postgrowth technology of solar cells based on the GaInP/GaInAs/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 114–117 |
3
|
|
2020 |
| 6. |
А. В. Белашов, П. С. Буторин, Ю. М. Задиранов, С. Г. Калмыков, В. А. Максимов, М. Э. Сасин, П. Ю. Сердобинцев, “Измерение геометрических параметров мощного ИК лазерного луча в прифокальной области для применений в лазерно-плазменном источнике коротковолнового излучения”, Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020), 1224–1228 ; A. V. Belashov, P. S. Butorin, Yu. M. Zadiranov, S. G. Kalmykov, V. A. Maximov, M. È. Sasin, P. Yu. Serdobintsev, “Measuring geometric parameters of a high-power infrared laser beam near the focus for applications in a laser-plasma short-wave radiation source”, Optics and Spectroscopy, 128:8 (2020), 1338–1341 |
1
|
| 7. |
Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102 ; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 |
3
|
|
2019 |
| 8. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Гусева, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 147–151 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. V. Sedova, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, Yu. A. Guseva, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Highly efficient semiconductor emitter of single photons in the red spectral range”, JETP Letters, 109:3 (2019), 145–149 |
5
|
| 9. |
Д. В. Чистяков, С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, В. Ю. Мыльников, Е. А. Когновицкая, Ю. М. Задиранов, Н. Г. Дерягин, В. В. Дюделев, В. И. Кучинский, Г. С. Соколовский, “Генерация капельных квазибесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера”, Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 781–786 ; D. V. Chistyakov, S. N. Losev, S. H. Abdulrazak, V. Yu. Mylnikov, E. A. Kognovitskaya, Yu. M. Zadiranov, N. G. Deryagin, V. V. Dyudelev, V. I. Kuchinskii, G. S. Sokolovskii, “Generation of droplet quasi-Bessel beams using a semiconductor laser”, Optics and Spectroscopy, 127:5 (2019), 848–853 |
6
|
| 10. |
Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, И. С. Мухин, А. А. Серин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Ю. М. Шерняков, Ю. М. Задиранов, М. В. Максимов, “Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 211–215 ; N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, I. S. Mukhin, A. A. Serin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, Yu. M. Shernyakov, Yu. M. Zadiranov, M. V. Maksimov, “Lateral mode discrimination in edge-emitting lasers with spatially modulated facet reflectance”, Semiconductors, 53 (2019), 200–204 |
1
|
| 11. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, А. А. Блохин, В. М. Андреев, “Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 15–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Blokhin, V. M. Andreev, “Studying the formation of antireflection coatings on multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1024–1026 |
3
|
| 12. |
С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019), 187–190 [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190 ] |
8
|
|
2018 |
| 13. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, А. М. Можаров, И. С. Мухин, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 201–205 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, A. M. Mozharov, I. S. Mukhin, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emitter at 80 K based on a dielectric nanoantenna with a CdSe/ZnSe quantum dot”, JETP Letters, 108:3 (2018), 201–204 |
5
|
| 14. |
А. В. Бабичев, Г. А. Гусев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, В. Н. Неведомский, В. В. Дюделев, Г. С. Соколовский, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1559–1563 ; A. V. Babichev, G. A. Gusev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, V. N. Nevedomskiy, V. V. Dyudelev, G. S. Sokolovskii, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, “Lasing in 9.6-$\mu$m quantum cascade lasers”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1511–1515 |
13
|
| 15. |
П. С. Буторин, Ю. М. Задиранов, С. Ю. Зуев, С. Г. Калмыков, В. Н. Полковников, М. Э. Сасин, Н. И. Чхало, “Абсолютно калиброванные спектрально разрешенные измерения интенсивности излучения Xe лазерной плазмы в дальнем ультрафиолетовом диапазоне”, ЖТФ, 88:10 (2018), 1554–1558 ; P. S. Butorin, Yu. M. Zadiranov, S. Yu. Zuev, S. G. Kalmykov, V. N. Polkovnikov, M. È. Sasin, N. I. Chkhalo, “Absolutely calibrated spectrally resolved measurements of Xe laser plasma radiation intensity in the EUV range”, Tech. Phys., 63:10 (2018), 1507–1510 |
9
|
| 16. |
В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 812–815 ; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “On the fabrication and study of lattice-matched heterostructures for quantum cascade lasers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953 |
6
|
| 17. |
В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137 ; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 |
1
|
| 18. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 98–104 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
1
|
| 19. |
С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, Д. В. Чистяков, В. Ю. Мыльников, Е. А. Когновицкая, И. В. Беркутов, Ю. М. Задиранов, Н. Г. Дерягин, В. В. Дюделев, В. И. Кучинский, Г. С. Соколовский, “Генерация капельных бесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 72–78 ; S. N. Losev, S. H. Abdulrazak, D. V. Chistyakov, V. Yu. Mylnikov, E. A. Kognovitskaya, I. V. Berkutov, Yu. M. Zadiranov, N. G. Deryagin, V. V. Dyudelev, V. I. Kuchinskii, G. S. Sokolovskii, “Generation of droplet bessel beams using a semiconductor laser”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 887–889 |
3
|
| 20. |
В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. М. Устинов, “Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 17–23 ; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. M. Ustinov, “Quantum-cascade lasers generating at the 4.8-$\mu$m wavelength at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 814–816 |
2
|
| 21. |
Н. Н. Леденцов, В. А. Щукин, V. P. Kalosha, N. N. Ledentsov, Jr., J. R. Kropp, M. Agustín, С. А. Блохин, А. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, “Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 85–94 ; N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, V. P. Kalosha, N. N. Ledentsov, Jr., J. R. Kropp, M. Agustín, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, “A design and new functionality of antiwaveguiding vertical-cavity surface-emitting lasers for a wavelength of 850 nm”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 36–39 |
2
|
| 22. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 67–75 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “The influence of cavity design on the linewidth of near-ir single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 28–31 |
3
|
|
2017 |
| 23. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
1
|
| 24. |
А. В. Бабичев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. А. Блохин, М. А. Бобров, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1176–1181 ; A. V. Babichev, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. Yu. Egorov, “Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1127–1132 |
2
|
| 25. |
В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104 ; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 |
2
|
|
2016 |
| 26. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124 |
19
|
| 27. |
И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. С. Курочкин, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, Ю. М. Шерняков, А. В. Савельев, И. А. Няпшаев, А. Ю. Егоров, “Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1429–1433 ; I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, A. S. Kurochkin, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, Yu. M. Shernyakov, A. V. Savel'ev, I. A. Nyapshaev, A. Yu. Egorov, “On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1412–1415 |
9
|
| 28. |
Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, Ю. С. Полубавкина, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1425–1428 ; F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. A. Lipovskii, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1408–1411 |
5
|
| 29. |
М. А. Бобров, Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Лисак, В. М. Устинов, “Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1408–1413 ; M. A. Bobrov, N. A. Maleev, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. Lisak, V. M. Ustinov, “Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395 |
5
|
| 30. |
И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, А. Е. Губенко, А. Ю. Егоров, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, А. В. Лютецкий, Ю. М. Задиранов, Е. Л. Портной, “Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 843–847 ; I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, A. E. Gubenko, A. Yu. Egorov, A. A. Usikova, N. D. Il'inskaya, A. V. Lyutetskiy, Yu. M. Zadiranov, E. L. Portnoǐ, “Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect”, Semiconductors, 50:6 (2016), 828–831 |
3
|
| 31. |
Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397 ; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 |
13
|
| 32. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 57–65 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 |
5
|
| 33. |
С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79 ; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 |
3
|
|
1988 |
| 34. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, К. И. Вакарельска, Ю. М. Задиранов, В. Р. Ларионов, А. В. Никитин, “Тонкопленочные многопроходные
AlGaAs-фотоэлементы с двусторонней фоточувствительностью”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988), 193–197 |
|
1987 |
| 35. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, Г. И. Цвилев, “Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного
арсенида галлия”, ЖТФ, 57:4 (1987), 771–777 |
|
1986 |
| 36. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо
легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов
и тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1897–1900 |
| 37. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных
транзисторах на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 677–682 |
| 38. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной
$Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1281–1285 |
| 39. |
В. М. Андреев, А. Б. Гучмазов, Т. В. Декальчук, Ю. М. Задиранов, В. С. Калиновский, А. М. Койнова, “Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 719–723 |
|
1984 |
| 40. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, “Мощные импульсные транзисторы
на основе арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 976–979 |
|
1983 |
| 41. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, А. А. Яковенко, “Исследование транзисторов с оптической связью”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1618–1622 |
| 42. |
А. М. Аллахвердиев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев, “Взаимное влияние широкозонного и узкозонного
фотоэлементов при работе каскадных $n$-GaAs${-}p$-AlGaAs${-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 446–448 |
| 43. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, “Фотоэлектролюминесценция
в AlGaAs-гетероструктуpax”, Письма в ЖТФ, 9:17 (1983), 1058–1061 |
| 44. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 652–655 |
|
Обратная связь: