Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 843–847 (Mi phts6450)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка

И. М. Гаджиевab, М. С. Буялоab, А. Е. Губенкоc, А. Ю. Егоровabd, А. А. Усиковаa, Н. Д. Ильинскаяa, А. В. Лютецкийa, Ю. М. Задирановa, Е. Л. Портнойa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Innolume GmbH, Dortmund, Germany
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
Аннотация: В двухсекционных лазерах с тремя квантовыми ямами реализованы режимы пассивной модуляции добротности и пассивной синхронизации мод. Показано, что увеличение обратного смещения на поглощающей секции приводит к изменению спектральных и динамических свойств поглотителя и соответственно к переходу от режима модуляции добротности к синхронизации мод. Частота следования импульсов в режиме синхронизации мод составила 75 ГГц, при этом произведение длительности импульсов на ширину спектра составило 0.49, что близко к теоретическому пределу. Показано, что в структурах с тремя квантовыми ямами большая величина поглощения на длине волны лазерной генерации приводит к фототоку через секцию насыщающегося поглотителя, достаточному для компенсации приложенного смещения.
Поступила в редакцию: 08.12.2015
Принята в печать: 14.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 828–831
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, А. Е. Губенко, А. Ю. Егоров, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, А. В. Лютецкий, Ю. М. Задиранов, Е. Л. Портной, “Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 843–847; Semiconductors, 50:6 (2016), 828–831
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GadBuyGub16}
\by И.~М.~Гаджиев, М.~С.~Буяло, А.~Е.~Губенко, А.~Ю.~Егоров, А.~А.~Усикова, Н.~Д.~Ильинская, А.~В.~Лютецкий, Ю.~М.~Задиранов, Е.~Л.~Портной
\paper Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 843--847
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6450}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368923}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 828--831
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6450
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p843
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024