Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1176–1181
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44879.8557
(Mi phts6035)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм

А. В. Бабичевabc, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевa, А. Г. Гладышевbc, Л. Я. Карачинскийbdc, И. И. Новиковbdc, С. А. Блохинd, М. А. Бобровd, Ю. М. Задирановd, С. И. Трошковd, А. Ю. Егоровbc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Продемонстрирована возможность формирования гибридных метаморфных гетероструктур вертикально излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300 нм. Метаморфная полупроводниковая часть гетероструктуры с распределенным брэгговским отражателем на основе пары GaAs/AlGaAs и активной областью на основе квантовых ям InAlGaAs/InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(100). Верхнее диэлектрическое зеркало с распределенным брэгговским отражателем сформировано на основе пары SiO$_{2}$/Ta$_{2}$O$_{5}$ методом магнетронного распыления. Проведено изучение спектров микрофотолюминесценции гетероструктур вертикально излучающих лазеров при комнатной температуре в диапазоне мощностей 0–70 мВт (длина волны оптической накачки составила 532 нм, диаметр сфокусированного пучка $\sim$1 мкм). Наличие сверхлинейного хода зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности накачки наряду с заужением полуширины пиков фотолюминесценции и изменением модового состава могут быть обусловлены лазерной генерацией гетероструктуры вертикально излучающих лазеров. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования технологии метаморфного роста гетероструктур на подложках GaAs для создания вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм.
Поступила в редакцию: 15.02.2017
Принята в печать: 22.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1127–1132
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, С. А. Блохин, М. А. Бобров, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1176–1181; Semiconductors, 51:9 (2017), 1127–1132
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabKryMoi17}
\by А.~В.~Бабичев, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, А.~Г.~Гладышев, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, С.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, Ю.~М.~Задиранов, С.~И.~Трошков, А.~Ю.~Егоров
\paper Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1176--1181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6035}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44879.8557}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973052}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1127--1132
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090056}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6035
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1176
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024