Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 97–102
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48783.9223 (Mi phts5315) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки

Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1714 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48783.9223
Аннотация: Описаны способы микропрофилирования эпитаксиальных структур 4$H$-SiC: формирование мезаструктур с наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали $>$ 45$^\circ$) с помощью реактивного ионно-плазменного травления; травление мезаструктур с плоским дном и наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали $<$ 45$^\circ$) методами ионно-лучевого и реактивного ионно-плазменного травления. Показано применение разработанных методов в технологии изготовления меза-эпитаксиальных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе 4$H$-SiC.
Ключевые слова: травление SiC, полевые СВЧ транзисторы, мезаструктуры.
Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 29.07.2019
Принята в печать: 29.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 144–149
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102; Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliLebZad20}
\by Н.~Д.~Ильинская, Н.~М.~Лебедева, Ю.~М.~Задиранов, П.~А.~Иванов, Т.~П.~Самсонова, О.~И.~Коньков, А.~С.~Потапов
\paper Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 97--102
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5315}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48783.9223}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571079}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 144--149
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5315
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p97
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:41
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024