Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1429–1433 (Mi phts6351)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм

И. И. Новиковab, Л. Я. Карачинскийab, Е. С. Колодезныйb, В. Е. Бугровb, А. С. Курочкинab, А. Г. Гладышевab, А. В. Бабичевab, И. М. Гаджиевbc, М. С. Буялоbc, Ю. М. Задирановc, А. А. Усиковаc, Ю. М. Шерняковc, А. В. Савельевb, И. А. Няпшаевb, А. Ю. Егоровba

a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (122 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования усилительных свойств “тонких”, толщиной 3.2 нм, упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Результаты исследования пороговых и усилительных характеристик полосковых лазерных диодов с активными областями на основе тонких" квантовых ям со степенью рассогласования параметра кристаллической решетки с материалом подложки +1.0% показали, что исследуемые квантовые ямы демонстрируют высокое значение коэффициента модового усиления – 11 см$^{-1}$ и низкое значение плотности тока прозрачности – 46 А/см$^{2}$ на одну квантовую яму.
Поступила в редакцию: 10.05.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1412–1415
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100201
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. С. Курочкин, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, Ю. М. Шерняков, А. В. Савельев, И. А. Няпшаев, А. Ю. Егоров, “Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1429–1433; Semiconductors, 50:10 (2016), 1412–1415
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovKarKol16}
\by И.~И.~Новиков, Л.~Я.~Карачинский, Е.~С.~Колодезный, В.~Е.~Бугров, А.~С.~Курочкин, А.~Г.~Гладышев, А.~В.~Бабичев, И.~М.~Гаджиев, М.~С.~Буяло, Ю.~М.~Задиранов, А.~А.~Усикова, Ю.~М.~Шерняков, А.~В.~Савельев, И.~А.~Няпшаев, А.~Ю.~Егоров
\paper Усилительные свойства ``тонких'' упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1429--1433
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6351}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369025}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1412--1415
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100201}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6351
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1429
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024