|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 766–772   |
|
2020 |
| 2. |
А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1150–1157 ; A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, S. M. Sergeev, N. A. Baidakova, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Kinetics of the luminescence response of self-assembled Ge(Si) nanoislands embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359 |
2
|
| 3. |
Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, С. А. Дьяков, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. М. Сергеев, Д. Е. Уткин, З. Ф. Красильник, “Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 822–829 ; D. V. Yurasov, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. M. Sergeev, D. E. Utkin, Z. F. Krasil'nik, “Enhancement of the luminescence signal from self-assembled Ge(Si) nanoislands due to interaction with the modes of two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 975–981 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, П. А. Бушуйкин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, В. Ю. Давыдов, П. А. Юнин, М. И. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1395–1400 ; B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 |
2
|
| 5. |
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1354–1359 ; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 |
3
|
| 7. |
К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1384–1389 ; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499 |
| 8. |
В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 67–74 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738 |
|
2017 |
| 9. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 |
5
|
| 10. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1530–1533 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 |
4
|
| 11. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 695–698 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 |
5
|
|
2016 |
| 12. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, “Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1720–1724 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, “The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695 |
| 13. |
Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1685–1689 ; N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 |
1
|
| 14. |
В. Б. Шмагин, С. Н. Вдовичев, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1497–1500 ; V. B. Shmagin, S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1475–1478 |
| 15. |
А. Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, “Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1455–1458 ; A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 |
3
|
| 16. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1270–1275 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 |
1
|
| 17. |
П. Г. Серафимович, М. В. Степихова, Н. Л. Казанский, С. А. Гусев, А. В. Егоров, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1133–1137 ; P. G. Serafimovich, M. V. Stepikhova, N. L. Kazanskii, S. A. Gusev, A. V. Egorov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “On a silicon-based photonic-crystal cavity for the near-IR region: Numerical simulation and formation technology”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1112–1116 |
6
|
|
2014 |
| 18. |
К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода
$^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов
Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 913–918 ; K. E. Kudryavtsev, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasil’nikova, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, B. A. Andreev, Z. F. Krasil'nik, “Absorption cross section for the $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ transition of Er$^{3+}$ in Si:Er:O/SOI epitaxial layers”, JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811   |
4
|
| 19. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797 |
4
|
|
2011 |
| 20. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре
с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011), 890–894 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815 |
2
|
| 21. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011), 437–441 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398 |
|
2008 |
| 22. |
В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, “Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008), 905–907 ; V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789 |
10
|
|
2005 |
| 23. |
М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617 ; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497 |
12
|
|
2002 |
| 24. |
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429 ; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369 |
24
|
|
2000 |
| 25. |
З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, “Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si<sub>1–x</sub>Ge<sub>x</sub> и Si<sub>1–x–y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub>”, УФН, 170:3 (2000), 338–341 ; Z. F. Krasil'nik, A. V. Novikov, “Optical properties of strained Si<sub>1–x</sub>Ge<sub>x</sub> and Si<sub>1–x–y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub> heterostructures”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 295–298 |
6
|
|
1991 |
| 26. |
В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих
дырок кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1315–1323 |
| 27. |
В. И. Гавриленко, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно
деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 718–722 |
|
1990 |
| 28. |
В. И. Гавриленко, Н. Г. Калугин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов., “Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами
при ${H}\not\parallel[001]$”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 825–828 |
|
1989 |
| 29. |
Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, “Моделирование явлений переноса горячих дырок кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 585–591 |
|
1988 |
| 30. |
В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, М. Д. Чернобровцева, “Циклотронный резонанс горячих дырок германия”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1233–1238 |
| 31. |
Р. И. Баширов, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, А. М. Мусаев, В. В. Никоноров, С. Ю. Потапенко, М. Д. Чернобровцева, “Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно
деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 479–484 |
| 32. |
З. Ф. Красильник, “Отрицательные массы и отрицательная проводимость
на циклотронном
резонансе в полупроводниках $p$-типа группы A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 101–104 |
|
1987 |
| 33. |
В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, М. Д. Чернобровцева, “Магнитные ловушки горячих дырок в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 484–488 |
| 34. |
А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Л. М. Кукин, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, В. В. Паршин, Д. Г. Ревин, “Спектральный состав излучения мазера на циклотронном резонансе тяжелых дырок в $Ge$”, Письма в ЖТФ, 13:10 (1987), 634–637 |
|
1985 |
| 35. |
Л. В. Берман, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, А. П. Чеботарев, “Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне
длин волн”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 369–377 |
|
1984 |
| 36. |
Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, “Нелинейный циклотронный резонанс тяжелых дырок германия
при стриминге в полях $\mathbf{ E}\parallel\mathbf{H}$”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 944–946 |
|
|
|
2024 |
| 37. |
Е. Б. Александров, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, З. Ф. Красильник, Г. Я. Красников, А. Г. Литвак, О. В. Руденко, А. И. Рудской, М. В. Садовский, А. В. Чаплик, “Памяти Роберта Арнольдовича Суриса”, УФН, 194:6 (2024), 677–678 ; E. B. Aleksandrov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, Z. F. Krasil'nik, G. Ya. Krasnikov, A. G. Litvak, O. V. Rudenko, A. I. Rudskoi, M. V. Sadovskii, A. V. Chaplik, “In memory of Robert Arnol'dovich Suris”, Phys. Usp., 67:6 (2024), 631–633 |
|
2021 |
| 38. |
А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894 |
| 39. |
П. И. Арсеев, В. А. Волков, Ю. В. Гуляев, Я. В. Гиндикин, С. В. Зайцев-Зотов, Е. Л. Ивченко, З. Ф. Красильник, И. В. Кукушкин, С. А. Никитов, В. А. Петров, Р. А. Сурис, А. А. Суханов, Ю. Я. Ткач, Д. Р. Хохлов, Б. С. Щамхалова, “К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 481 |
| 40. |
П. И. Арсеев, А. А. Горбацевич, Е. И. Демихов, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, З. Ф. Красильник, О. Н. Крохин, И. В. Кукушкин, Г. А. Месяц, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков, “Памяти Николая Николаевича Сибельдина”, УФН, 191:3 (2021), 333–334 ; P. I. Arseev, A. A. Gorbatsevich, E. I. Demikhov, V. V. Kveder, N. N. Kolachevsky, Z. F. Krasil'nik, O. N. Krokhin, I. V. Kukushkin, G. A. Mesyats, R. A. Suris, V. B. Timofeev, I. A. Shcherbakov, “In memory of Nikolai Nikolaevich Sibeldin”, Phys. Usp., 64:3 (2021), 319–320 |
|
Обратная связь: