Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 695–698
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44431.8449 (Mi phts6169) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

В. Я. Алешкинab, Н. В. Байдусьc, А. А. Дубиновab, З. Ф. Красильникab, С. М. Некоркинac, А. В. Новиковab, А. В. Рыковc, Д. В. Юрасовba, А. Н. Яблонскийa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (151 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44431.8449
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4$^\circ$ к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37 кВт/см$^{2}$ соответственно.
Поступила в редакцию: 16.11.2016
Принята в печать: 21.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 663–666
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050037
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 695–698; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleBaiDub17}
\by В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Байдусь, А.~А.~Дубинов, З.~Ф.~Красильник, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Новиков, А.~В.~Рыков, Д.~В.~Юрасов, А.~Н.~Яблонский
\paper Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 695--698
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6169}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44431.8449}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404926}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 663--666
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050037}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6169
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p695
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024