|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
В. Я. Алешкинab, Н. В. Байдусьc, А. А. Дубиновab, З. Ф. Красильникab, С. М. Некоркинac, А. В. Новиковab, А. В. Рыковc, Д. В. Юрасовba, А. Н. Яблонскийa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получены лазерные структуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной и отклоненной на 4$^\circ$ к оси [011] подложках Si(001) с релаксированным буфером Ge, излучающие в области прозрачности объемного кремния (длина волны больше 1100 нм при комнатной температуре). Пороговые плотности мощности наблюдения стимулированного излучения для структур, выращенных на неотклоненной и отклоненной подложках, составили 45 и 37 кВт/см$^{2}$ соответственно.
Поступила в редакцию: 16.11.2016 Принята в печать: 21.11.2016
Образец цитирования:
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 695–698; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6169 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p695
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 9 |
|