|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 81, выпуск 10, страницы 614–617
(Mi jetpl1749)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
М. В. Степиховаa, Д. М. Жигуновb, В. Г. Шенгуровc, В. Ю. Тимошенкоb, Л. В. Красильниковаa, В. Ю. Чалковc, С. П. Светловc, О. А. Шалыгинаb, П. К. Кашкаровb, З. Ф. Красильникa a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, ГСП-105,
Россия
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова,
физический факультет, 119992 Москва, Россия
c Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета
603950, Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
В структурах Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$:Er/Si достигнута инверсная населенность уровней энергии ионов Er$^{3+}$ при передаче энергии электронного возбуждения от полупроводниковой матрицы. Анализ кинетик фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм свидетельствует о переводе в возбужденное состояние до 80% ионов, что в совокупности с высокой интенсивностью свечения демонстрирует перспективность структур такого типа для создания лазера, совместимого с планарной кремниевой технологией.
Поступила в редакцию: 28.04.2005
Образец цитирования:
М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617; JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1749 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v81/i10/p614
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 300 | PDF полного текста: | 79 | Список литературы: | 49 |
|