Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 81, выпуск 10, страницы 614–617 (Mi jetpl1749)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия

М. В. Степиховаa, Д. М. Жигуновb, В. Г. Шенгуровc, В. Ю. Тимошенкоb, Л. В. Красильниковаa, В. Ю. Чалковc, С. П. Светловc, О. А. Шалыгинаb, П. К. Кашкаровb, З. Ф. Красильникa

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, ГСП-105, Россия
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет, 119992 Москва, Россия
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета 603950, Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (255 kB) Список цитирования (12)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В структурах Si/Si$_{1-x}$Ge$_{x}$:Er/Si достигнута инверсная населенность уровней энергии ионов Er$^{3+}$ при передаче энергии электронного возбуждения от полупроводниковой матрицы. Анализ кинетик фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм свидетельствует о переводе в возбужденное состояние до 80% ионов, что в совокупности с высокой интенсивностью свечения демонстрирует перспективность структур такого типа для создания лазера, совместимого с планарной кремниевой технологией.
Поступила в редакцию: 28.04.2005
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, Volume 81, Issue 10, Pages 494–497
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1996756
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Hj, 78.47.$+$p, 78.55.-m
Образец цитирования: М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617; JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SteZhiShe05}
\by М.~В.~Степихова, Д.~М.~Жигунов, В.~Г.~Шенгуров, В.~Ю.~Тимошенко, Л.~В.~Красильникова, В.~Ю.~Чалков, С.~П.~Светлов, О.~А.~Шалыгина, П.~К.~Кашкаров, З.~Ф.~Красильник
\paper Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2005
\vol 81
\issue 10
\pages 614--617
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1749}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2005
\vol 81
\issue 10
\pages 494--497
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1996756}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000231017000004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-23744447238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1749
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v81/i10/p614
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:300
    PDF полного текста:79
    Список литературы:49
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024