Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1530–1533
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45105.19 (Mi phts6002) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

В. Я. Алешкинab, Н. В. Байдусьab, А. А. Дубиновab, К. Е. Кудрявцевab, С. М. Некоркинa, А. В. Новиковab, А. В. Рыковa, И. В. Самарцевa, А. Г. Фефеловc, Д. В. Юрасовab, З. Ф. Красильникab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c ОАО Научно-производственное предприятие "Салют"
PDF полного текста (816 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45105.19
Аннотация: Созданы InGaAs/GaAs/AlGaAs лазерные диоды с квантовыми ямами, выращенными методом МОГФЭ на неотклоненной Si (001)-подложке с буферным слоем Ge. Диоды генерируют стимулированное излучение в импульсном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.09–1.11 мкм.
Поступила в редакцию: 15.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1477–1480
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110057
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1530–1533; Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleBaiDub17}
\by В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Байдусь, А.~А.~Дубинов, К.~Е.~Кудрявцев, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Новиков, А.~В.~Рыков, И.~В.~Самарцев, А.~Г.~Фефелов, Д.~В.~Юрасов, З.~Ф.~Красильник
\paper Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1530--1533
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6002}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45105.19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546396}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1477--1480
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110057}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6002
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1530
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:47
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024