|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1685–1689
(Mi phts6294)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
Н. А. Байдаковаa, А. В. Новиковab, М. В. Шалеевa, Д. В. Юрасовa, Е. Е. Морозоваa, Д. В. Шенгуровa, З. Ф. Красильникba a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Впервые исследована электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферах SiGe/Si(001) и заключенными между слоями напряженного кремния. Сигнал электролюминесценции от исследованных структур наблюдается в области длин волн 1.6–2.0 мкм, более длинноволновой области спектра по сравнению со структурами с островками Ge(Si), сформированными на подложках Si(001). Это позволяет рассматривать структуры с островками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями Si, в качестве кандидатов для создания на кремнии источников излучения на диапазон длин волн $>$ 1.55 мкм.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1685–1689; Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6294 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1685
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 6 |
|