Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1150–1157
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49960.42 (Mi phts5153) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы

А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (1249 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49960.42
Аннотация: Представлены результаты исследования спектрально-кинетических характеристик фотолюминесценции двумерных фотонных кристаллов, полученных на основе структур c самоформирующимися наноостровками Ge(Si). Рассматривается наблюдаемое в таких структурах увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции наноостровков в спектральном диапазоне 1.1–1.6 мкм в результате взаимодействия с излучательными модами фотонных кристаллов вблизи точки зоны Бриллюэна и влияние такого взаимодействия на вероятность излучательной рекомбинации в наноостровках Ge(Si).
Ключевые слова: наноостровки Ge(Si), фотонные кристаллы, фотолюминесценция, кинетика фотолюминесценции, эффект Парселла.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520047_р
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 13
Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект 18-42-520047_р) и программы фундаментальных исследований Президиума РАН № 13.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1352–1359
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100334
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. М. Сергеев, Н. А. Байдакова, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник, “Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1150–1157; Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YabNovSte20}
\by А.~Н.~Яблонский, А.~В.~Новиков, М.~В.~Степихова, С.~М.~Сергеев, Н.~А.~Байдакова, М.~В.~Шалеев, З.~Ф.~Красильник
\paper Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1150--1157
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5153}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49960.42}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041231}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1352--1359
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100334}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5153
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1150
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024