|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1455–1458
(Mi phts6306)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
А. Н. Яблонскийab, С. В. Морозовab, Д. М. Гапоноваab, В. Я. Алешкинab, В. Г. Шенгуровb, Б. Н. Звонковb, О. В. Вихроваb, Н. В. Байдусьb, З. Ф. Красильникa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
А. Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, “Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1455–1458; Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6306 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1455
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 5 |
|