Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1455–1458 (Mi phts6306)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

А. Н. Яблонскийab, С. В. Морозовab, Д. М. Гапоноваab, В. Я. Алешкинab, В. Г. Шенгуровb, Б. Н. Звонковb, О. В. Вихроваb, Н. В. Байдусьb, З. Ф. Красильникa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (362 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1435–1438
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616110269
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, “Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1455–1458; Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YabMorGap16}
\by А.~Н.~Яблонский, С.~В.~Морозов, Д.~М.~Гапонова, В.~Я.~Алешкин, В.~Г.~Шенгуров, Б.~Н.~Звонков, О.~В.~Вихрова, Н.~В.~Байдусь, З.~Ф.~Красильник
\paper Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1455--1458
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6306}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369030}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1435--1438
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616110269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6306
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1455
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024