Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1133–1137 (Mi phts6400)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования

П. Г. Серафимовичab, М. В. Степиховаcd, Н. Л. Казанскийab, С. А. Гусевcd, А. В. Егоровb, Е. В. Скороходовcd, З. Ф. Красильникdc

a Институт систем обработки изображений РАН, Самара
b Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (630 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Изложена технология изготовления фотонно-кристаллического резонатора, выполненного в виде группы отверстий на кремниевом полосковом волноводе, сформированных методом ионно-лучевого травления. Исследован паразитный эффект, связанный с конусностью отверстий, возникающий при их формировании по данной технологии. Путем численного моделирования показано, что уменьшение добротности резонатора вследствие конусности отверстий можно компенсировать с учетом их объема. Выполнен анализ влияния толщины волновода на значения резонансной длины волны и добротность фотонно-кристаллического резонатора.
Поступила в редакцию: 17.12.2015
Принята в печать: 24.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 8, Pages 1112–1116
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616080212
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Г. Серафимович, М. В. Степихова, Н. Л. Казанский, С. А. Гусев, А. В. Егоров, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1133–1137; Semiconductors, 50:8 (2016), 1112–1116
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerSteKaz16}
\by П.~Г.~Серафимович, М.~В.~Степихова, Н.~Л.~Казанский, С.~А.~Гусев, А.~В.~Егоров, Е.~В.~Скороходов, З.~Ф.~Красильник
\paper Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1133--1137
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6400}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368975}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1112--1116
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616080212}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6400
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1133
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024