|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Сечение поглощения для перехода
$^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов
Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
К. Е. Кудрявцевab, Д. И. Крыжковab, Л. В. Красильниковаab, Д. В. Шенгуровab, В. Б. Шмагинab, Б. А. Андреевab, З. Ф. Красильникab a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Проведены прямые измерения оптических
потерь, обусловленных взаимодействием излучения с оптически активными ионами
Er$^{3+}$ в эпитаксиальных волноводных структурах Si:Er/SOI.
Сечение излучательного перехода $^{4}I_{13/2}\to {}^{4}I_{15/2}$ иона
Er$^{3+}$ оценено на уровне
$\sigma_{300\,\text{K}}\sim 8\cdot10^{-19}$ см$^{2}$ при
$T=300\,$K и $\sigma_{10\,\text{K}}\sim 10^{-17}$ см$^2$ при
$T=10\,$K.
Поступила в редакцию: 10.11.2014
Образец цитирования:
К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода
$^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов
Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 913–918; JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4502 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i12/p913
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 205 | PDF полного текста: | 72 | Список литературы: | 38 | Первая страница: | 13 |
|