Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 100, выпуск 12, страницы 913–918
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14240102 (Mi jetpl4502) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI

К. Е. Кудрявцевab, Д. И. Крыжковab, Л. В. Красильниковаab, Д. В. Шенгуровab, В. Б. Шмагинab, Б. А. Андреевab, З. Ф. Красильникab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (407 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14240102
Аннотация: Проведены прямые измерения оптических потерь, обусловленных взаимодействием излучения с оптически активными ионами Er$^{3+}$ в эпитаксиальных волноводных структурах Si:Er/SOI. Сечение излучательного перехода $^{4}I_{13/2}\to {}^{4}I_{15/2}$ иона Er$^{3+}$ оценено на уровне $\sigma_{300\,\text{K}}\sim 8\cdot10^{-19}$ см$^{2}$ при $T=300\,$K и $\sigma_{10\,\text{K}}\sim 10^{-17}$ см$^2$ при $T=10\,$K.
Поступила в редакцию: 10.11.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 100, Issue 12, Pages 807–811
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014240096
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Е. Кудрявцев, Д. И. Крыжков, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, “Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 913–918; JETP Letters, 100:12 (2014), 807–811
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudKryKra14}
\by К.~Е.~Кудрявцев, Д.~И.~Крыжков, Л.~В.~Красильникова, Д.~В.~Шенгуров, В.~Б.~Шмагин, Б.~А.~Андреев, З.~Ф.~Красильник
\paper Сечение поглощения для перехода
$^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов
Er$^{3+}$ в~эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 12
\pages 913--918
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4502}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14240102}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22996287}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 12
\pages 807--811
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014240096}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000350023400010}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24010734}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84923808828}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4502
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i12/p913
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:205
    PDF полного текста:72
    Список литературы:38
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024