Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si

Pассмотрены условия эпитаксиального выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазного разложения моногермана на “горячей проволоке”. Предложенная комбинированная методика роста позволяет выращивать слои Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ толщиной до 2 мкм и более. При пониженных температурах роста ($T_{S}\approx$ 325–350$^\circ$C) используемая методика позволяет выращивать слои Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с малой шероховатостью поверхности (rms $\approx$ 2 нм) и низкой плотностью прорастающих дислокаций. Интенсивность фотолюминесценции слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$:Er значительно (более чем в 5 раз) превосходит интенсивность фотолюминесценции в слоях, полученных при стандартных условиях роста ($T_{S}\approx$ 500$^\circ$C), для которых значение внешней квантовой эффективности оценивается величиной $\sim$0.4%.