|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 6, страницы 425–429
(Mi jetpl2929)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Исследована зависимость спектров фотолюминесценции структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися островками от температуры роста. Показано, что смещение пика фотолюминесценции от островков в область меньших энергий при понижении температуры роста связано с подавлением диффузии Si в островки и увеличением доли Ge в них. Обнаружен сигнал фотолюминесценции от GeSi островков в области энергий вплоть до 0.6 эВ, что значительно меньше ширины запрещенной зоны объемного Ge. Положение пика фотолюминесценции от островков хорошо описывается моделью непрямого в реальном пространстве оптического перехода с учетом реального состава и упругих напряжений островков. Получены одно и многослойные структуры с GeSi/Si(001) самоорганизующимся наноостровками, имеющими сигнал фотолюминесценции в области $1.3\div2$ мкм при комнатной температуре.
Поступила в редакцию: 29.07.2002
Образец цитирования:
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429; JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2929 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i6/p425
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 244 | PDF полного текста: | 73 | Список литературы: | 57 |
|