Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 100, выпуск 12, страницы 900–903
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14240084 (Mi jetpl4500) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке

В. Я. Алешкинab, Н. В. Дикареваc, А. А. Дубиновab, С. А. Денисовac, З. Ф. Красильникba, К. Е. Кудрявцевba, С. А. Матвеевc, С. М. Некоркинc, В. Г. Шенгуровac

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (249 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14240084
Аннотация: Методом “горячей проволоки” (HW-CVD) созданы совершенные искусственные подложки Ge/Si, на которых методом MOCVD выращены гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Изучены спектры фотолюминесценции этих гетероструктур. Обнаружено стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне при оптической накачке. Определены пороговые мощности возбуждения стимулированного излучения и изменение спектрального состава излучения в зависимости от мощности оптической накачки.
Поступила в редакцию: 05.11.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 100, Issue 12, Pages 795–797
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014240023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903; JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDikDub14}
\by В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Дикарева, А.~А.~Дубинов, С.~А.~Денисов, З.~Ф.~Красильник, К.~Е.~Кудрявцев, С.~А.~Матвеев, С.~М.~Некоркин, В.~Г.~Шенгуров
\paper Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 12
\pages 900--903
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4500}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14240084}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22996285}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 12
\pages 795--797
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014240023}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000350023400008}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24010634}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84923784337}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4500
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i12/p900
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:284
    PDF полного текста:74
    Список литературы:38
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024