Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов

Приводятся результаты исследований люминесцентных свойств двумерных фотонных кристаллов, сформированных на кремниевых структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). Показаны возможности значительного роста интенсивности люминесцентного отклика активной среды (наноостровков Ge(Si) ) в диапазоне длин волн 1.2–1.6 мкм в таких структурах. Изучены особенности люминесцентного отклика фотонного кристалла вблизи $\Gamma$-точки их зоны Бриллюэна. Показано, что наряду с широкополосным откликом, характерным для излучательных мод фотонного кристалла, в таких структурах возможно также наблюдение высокодобротных резонансов с добротностью, превышающей 10$^{3}$. Последние наблюдаются в выделенном диапазоне параметров решетки ФК.