|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса”, Письма в ЖЭТФ, 115:2 (2022), 89–93  ; T. V. Perevalov, R. M. Kh. Iskhakzai, I. P. Prosvirin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Forming-free memristors based on hafnium oxide processed in electron cyclotron resonance hydrogen plasma”, JETP Letters, 115:2 (2022), 79–83   |
2
|
|
2021 |
| 2. |
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, “Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде бора”, Письма в ЖЭТФ, 114:7 (2021), 498–501 ; Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, “Multiphonon ionization of deep centers in amorphous boron nitride”, JETP Letters, 114:7 (2021), 433–436 |
4
|
| 3. |
В. Н. Кручинин, Д. С. Одинцов, Л. А. Шундрин, И. К. Шундрина, С. В. Рыхлицкий, Е. В. Спесивцев, В. А. Гриценко, “Оптические и электрохромные свойства тонких пленок амбиполяных полиимидов с пендантными группами на основе производных тоиксантенона”, Оптика и спектроскопия, 129:11 (2021), 1393–1399  ; V. N. Kruchinin, D. S. Odintsov, L. A. Shundrin, I. K. Shundrina, S. V. Rykhlitskii, E. V. Spesivtsev, V. A. Gritsenko, “Optical and electrochromic properties of thin films of ambipolar polyimides with pendant groups based on thioxanthenone derivatives”, Optics and Spectroscopy, 130:14 (2022), 2114–2119 |
3
|
| 4. |
V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, I. P. Posvirin, Xiaoping Shi, M. R. Baklanov, “Atomic structure and optical properties of plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH Low-k dielectric film”, Оптика и спектроскопия, 129:5 (2021), 618 ; Optics and Spectroscopy, 129:6 (2021), 645–651 |
4
|
|
2020 |
| 5. |
Т. В. Перевалов, В. Н. Кручинин, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко, А. П. Елисеев, Е. Е. Ломонова, “Оптические свойства кристаллов (ZrO$_{2}$)$_{1-x}$(Y$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$ ($x$ = 0–0.037), полученных направленной кристаллизацией расплава”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1830–1836 ; T. V. Perevalov, V. N. Kruchinin, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, A. P. Eliseev, E. E. Lomonova, “Optical properties of (ZrO$_{2}$)$_{1-x}$(Y$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$ ($x$ = 0–0.037) crystals grown by directional crystallization of the melt”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1963–1969 |
| 6. |
В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, В. Ш. Алиев, Р. М. Х. Исхакзай, Е. В. Спесивцев, В. А. Гриценко, В. А. Пустоваров, “Оптические свойства тонких пленок SiO$_{x}$ $(x<2)$, полученных обработкой термического диоксида кремния в водородной плазме”, Оптика и спектроскопия, 128:10 (2020), 1467–1472 ; V. N. Kruchinin, T. V. Perevalov, V. Sh. Aliev, R. M. Kh. Iskhakzai, E. V. Spesivtsev, V. A. Gritsenko, V. A. Pustovarov, “Optical properties of thin films of SiO$_{x}$ $(x<2)$, obtained by exposure of thermal silicon dioxide in hydrogen plasma”, Optics and Spectroscopy, 128:10 (2020), 1577–1582 |
3
|
|
2019 |
| 7. |
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин, “Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2528–2535 ; T. V. Perevalov, V. A. Volodin, Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, “Nanoscale potential fluctuations in SiO$_{x}$ synthesized by the plasma enhanced chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2560–2568 |
2
|
| 8. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, “Structure of Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$ ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition”, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120 |
5
|
| 9. |
В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, Г. Н. Камаев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 769–773 ; V. N. Kruchinin, T. V. Perevalov, G. N. Kamaev, S. V. Rykhlitskii, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric silicon oxide SiO$_{x}$ ($x<$ 2)”, Optics and Spectroscopy, 127:5 (2019), 836–840 |
4
|
|
2018 |
| 10. |
Д. Р. Исламов, В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, Е. В. Иванова, М. В. Заморянская, М. С. Лебедев, “Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода”, Физика твердого тела, 60:10 (2018), 2006–2013 ; D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, V. N. Kruchinin, E. V. Ivanova, M. V. Zamoryanskaya, M. S. Lebedev, “The evolution of the conductivity and cathodoluminescence of the films of hafnium oxide in the case of a change in the concentration of oxygen vacancies”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 2050–2057 |
8
|
| 11. |
В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, В. А. Володин, В. Н. Кручинин, А. К. Герасимова, И. П. Просвирин, “Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 108:4 (2018), 230–235 ; V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, V. A. Volodin, V. N. Kruchinin, A. K. Gerasimova, I. P. Prosvirin, “Atomic and electronic structures of metal-rich noncentrosymmetric ZrO$_x$”, JETP Letters, 108:4 (2018), 226–230 |
2
|
| 12. |
А. А. Карпушин, В. А. Гриценко, “Электронная структура аморфного SiO$_{x}$ переменного состава”, Письма в ЖЭТФ, 108:2 (2018), 114–118 ; A. A. Karpusin, V. A. Gritsenko, “Electronic structure of amorphous SiO$_{x}$ with variable composition”, JETP Letters, 108:2 (2018), 127–131 |
2
|
| 13. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, И. П. Просвирин, “Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 62–67 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, D. R. Islamov, I. P. Prosvirin, “Electronic structure of oxygen vacancies in the orthorhombic noncentrosymmetric phase Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, JETP Letters, 107:1 (2018), 55–60 |
10
|
| 14. |
В. Н. Кручинин, В. А. Володин, Т. В. Перевалов, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния”, Оптика и спектроскопия, 124:6 (2018), 777–782 ; V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, T. V. Perevalov, A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, “Optical properties of nonstoichiometric tantalum oxide TaO$_{x}$ ($x<$ 5/2) according to spectral-ellipsometry and Raman-scattering data”, Optics and Spectroscopy, 124:6 (2018), 808–813 |
17
|
| 15. |
В. А. Гриценко, Ю. Н. Новиков, A. Chin, “Ближний порядок, транспорт заряда в SiO$_{x}$: эксперимент и численное моделирование”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 81–88 ; V. A. Gritsenko, Yu. N. Novikov, A. Chin, “Short-range order and charge transport in SiO$_{x}$: experiment and numerical simulation”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 541–544 |
1
|
| 16. |
В. А. Володин, В. А. Гриценко, A. Chin, “Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 37–45 ; V. A. Volodin, V. A. Gritsenko, A. Chin, “Local oscillations of silicon–silicon bonds in silicon nitride”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 424–427 |
8
|
|
2017 |
| 17. |
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, “Релаксация тока в Si$_{3}$N$_{4}$: эксперимент и численное моделирование”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 49–53 ; Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, “Relaxation of the electric current in Si$_{3}$N$_{4}$: Experiment and numerical simulation”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 47–52 |
2
|
| 18. |
В. А. Гриценко, “Горячие электроны в оксиде кремния”, УФН, 187:9 (2017), 971–979 ; V. A. Gritsenko, “Hot electrons in silicon oxide”, Phys. Usp., 60:9 (2017), 902–910 |
9
|
|
2016 |
| 19. |
А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин, В. А. Гриценко, “Кремний-кремниевая Si–Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния”, Письма в ЖЭТФ, 103:3 (2016), 189–193 ; A. A. Karpusin, A. N. Sorokin, V. A. Gritsenko, “Si-Si bond as a deep trap for electrons and holes in silicon nitride”, JETP Letters, 103:3 (2016), 171–174 |
7
|
|
2015 |
| 20. |
Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, О. М. Орлов, “Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 102:8 (2015), 610–614 ; D. R. Islamov, A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, A. M. Markeev, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, O. M. Orlov, “Charge transport mechanism in thin films of amorphous and ferroelectric Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, JETP Letters, 102:8 (2015), 544–547 |
29
|
|
2013 |
| 21. |
К. А. Насыров, В. А. Гриценко, “Механизмы переноса электронов и дырок в диэлектрических плёнках”, УФН, 183:10 (2013), 1099–1114 ; K. A. Nasyrov, V. A. Gritsenko, “Transport mechanisms of electrons and holes in dielectric films”, Phys. Usp., 56:10 (2013), 999–1012 |
62
|
|
2012 |
| 22. |
В. А. Гриценко, “Электронная структура нитрида кремния”, УФН, 182:5 (2012), 531–541 ; V. A. Gritsenko, “Electronic structure of silicon nitride”, Phys. Usp., 55:5 (2012), 498–507 |
49
|
|
2010 |
| 23. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, “Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью”, УФН, 180:6 (2010), 587–603 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, “Application and electronic structure of high-permittivity dielectrics”, Phys. Usp., 53:6 (2010), 561–575 |
70
|
|
2009 |
| 24. |
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, К. А. Насыров, “Многофононный механизм ионизации ловушек в Al$_2$O$_3$: эксперимент и численное моделирование”, Письма в ЖЭТФ, 89:10 (2009), 599–602 ; Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, K. A. Nasyrov, “Multiphonon mechanism of the ionization of traps in Al$_2$O$_3$Experiment and numerical simulation”, JETP Letters, 89:10 (2009), 506–509 |
19
|
| 25. |
В. А. Гриценко, “Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид”, УФН, 179:9 (2009), 921–930 ; V. A. Gritsenko, “Structure of silicon/oxide and nitride/oxide interfaces”, Phys. Usp., 52:9 (2009), 869–877 |
29
|
|
2008 |
| 26. |
В. А. Гриценко, “Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния”, УФН, 178:7 (2008), 727–737 ; V. A. Gritsenko, “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitrides”, Phys. Usp., 51:7 (2008), 699–708 |
65
|
|
2007 |
| 27. |
Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, Х. Вонг, Ж. Х. Хан, Ч. В. Ким, “Электронная структура $\alpha$-Al$_2$O$_3$: ab initio моделирование и сравнение с экспериментом”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 197–201 ; T. V. Perevalov, A. V. Shaposhnikov, V. A. Gritsenko, H. Wong, J. H. Han, C. W. Kim, “Electronic structure of $\alpha$-Al$_2$O$_3$: ab initio simulations and comparison with experiment”, JETP Letters, 85:3 (2007), 165–168 |
93
|
|
2005 |
| 28. |
Д. В. Гриценко, С. C. Шаймеев, М. А. Ламин, О. П. Пчеляков, В. А. Гриценко, В. Г. Лифшиц, “Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005), 721–723 ; D. V. Gritsenko, S. S. Shaimeev, M. A. Lamin, O. P. Pchelyakov, V. A. Gritsenko, V. G. Lifshits, “Two-band conductivity of ZrO<sub>2</sub> synthesized by molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 81:11 (2005), 587–589 |
11
|
|
2003 |
| 29. |
К. А. Насыров, Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, С. Ю. Юн, Ч. В. Ким, “Многофононная ионизация глубоких центров в аморфном нитриде кремния: эксперимент и численное моделирование”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 455–458 ; K. A. Nasyrov, Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko, S. Y. Yoon, C. W. Kim, “Multiphonon ionization of deep centers in amorphous silicon nitride: Experiment and numerical simulations”, JETP Letters, 77:7 (2003), 385–388 |
12
|
|
1992 |
| 30. |
В. А. Гриценко, Ю. П. Костиков, Л. В. Храмова, “Строение и электронная структура Si$-$H и N$-$H связей в $a$-SiN$_{x}:{}$H”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2424–2430 |
|
1986 |
| 31. |
В. А. Гриценко, А. В. Ржанов, С. П. Синица, В. И. Федченко, Г. Н. Феофанов, “Сдвиг края поглощения в облученном аморфном нитриде кремния”, Докл. АН СССР, 287:6 (1986), 1381–1383 |
1
|
| 32. |
В. А. Гриценко, П. А. Пундур, “Многофононный захват и излучательные переходы в $a$ = Si$_{3}$N$_{4}$”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3239–3242 |
1
|
|
1984 |
| 33. |
И. А. Брытов, В. А. Гриценко, Ю. П. Костиков, Е. А. Оболенский, Ю. Н. Ромащенко, “Электронная структура аморфного Si$_{3}$N$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1685–1690 |
|
1983 |
| 34. |
В. А. Гриценко, П. А. Пундур, “Катодолюминесценция аморфного нитрида кремния”, Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1560–1562 |
|
Обратная связь: