Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2010, том 180, номер 6, страницы 587–603
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201006b.0587 (Mi ufn2221) 		 
Эта публикация цитируется в 70 научных статьях (всего в 70 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
PDF полного текста (3248 kB) Список цитирования (70)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201006b.0587
Аннотация: Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью – Al$_2$O$_3$, HfO$_2$ и TiO$_2$.
Поступила: 20 апреля 2009 г.
Доработана: 20 августа 2009 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2010, Volume 53, Issue 6, Pages 561–575
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.0180.201006b.0587
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.15.Mb, 77.55.D-, 85.30.-z
Образец цитирования: Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, “Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью”, УФН, 180:6 (2010), 587–603; Phys. Usp., 53:6 (2010), 561–575
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PerGri10}
\by Т.~В.~Перевалов, В.~А.~Гриценко
\paper Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью
\jour УФН
\yr 2010
\vol 180
\issue 6
\pages 587--603
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn2221}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201006b.0587}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2010PhyU...53..561P}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2010
\vol 53
\issue 6
\pages 561--575
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.0180.201006b.0587}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000281644500002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77958606853}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn2221
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v180/i6/p587
    • Эта публикация цитируется в следующих 70 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:627
    PDF полного текста:197
    Список литературы:67
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024