|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Диэлектрики
Релаксация тока в Si$_{3}$N$_{4}$: эксперимент и численное моделирование
Ю. Н. Новиковa, В. А. Гриценкоab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Экспериментально измерена релаксация тока в структуре металл-нитрид-оксид-полупроводник. Эксперимент сравнивается с расчетом, основанным на двухзонной модели проводимости и многофононном механизме ионизации ловушек. Из сравнения эксперимента с расчетом для величины сечения рекомбинации получена оценка сверху, которая составила 5 $\cdot$ 10$^{-13}$ cm$^{2}$.
Поступила в редакцию: 07.06.2016
Образец цитирования:
Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, “Релаксация тока в Si$_{3}$N$_{4}$: эксперимент и численное моделирование”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 49–53; Phys. Solid State, 59:1 (2017), 47–52
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9705 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i1/p49
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 17 |
|