Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2012, том 182, номер 5, страницы 531–541
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0182.201205d.0531 (Mi ufn4204) 		 
Эта публикация цитируется в 50 научных статьях (всего в 50 статьях)

ИЗ ТЕКУЩЕЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Электронная структура нитрида кремния

В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (874 kB) Список цитирования (50)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0182.201205d.0531
Аннотация: Аморфные оксид (SiO2), оксинитрид (SiOxNy) и нитрид (Si3N4) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiNx, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.
Поступила: 8 декабря 2011 г.
Одобрена в печать: 16 января 2012 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2012, Volume 55, Issue 5, Pages 498–507
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.0182.201205d.0531
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.15.Mb, 71.23.-k, 77.22.-d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.-e
Образец цитирования: В. А. Гриценко, “Электронная структура нитрида кремния”, УФН, 182:5 (2012), 531–541; Phys. Usp., 55:5 (2012), 498–507
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gri12}
\by В.~А.~Гриценко
\paper Электронная структура нитрида кремния
\jour УФН
\yr 2012
\vol 182
\issue 5
\pages 531--541
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn4204}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0182.201205d.0531}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2012PhyU...55..498G}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17785277}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2012
\vol 55
\issue 5
\pages 498--507
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.0182.201205d.0531}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000307559000004}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20494367}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84864992214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn4204
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v182/i5/p531
    • Эта публикация цитируется в следующих 50 статьяx:
    1. V. V. Atuchin, M. S. Lebedev, S. A. Gromilov, I. V. Korolkov, T. V. Perevalov, I. P. Prosvirin, “Growth and Characterization of Mixed Oxide Hf1-xScxOy (0 ≤ x ≤ 1) Films Prepared by the Atomic Layer Deposition Method”, J. Electron. Mater., 2025  crossref
    2. Kishor Kumar Mandal, Anuj Kumar Singh, Brijesh Kumar, Amit P. Shah, Rishabh Vij, Amrita Majumder, Janhavi Jayawant Khunte, Venu Gopal Achanta, Anshuman Kumar, “Emission Engineering in Monolithically Integrated Silicon Nitride Microring Resonators”, ACS Materials Lett., 2024, 1831  crossref
    3. L. N. Skvortsova, I. A. Artyukh, T. V. Tatarinova, K. A. Bolgaru, “Kinetic Mechanisms of the Photocatalytic Generation of Hydrogen from Formic Acid Using Metal–Ceramic Composites under Visible-Light Irradiation”, Kinet Catal, 65:2 (2024), 101  crossref
    4. A.E. Biriukov, A.M. Korsunsky, “Methods of fabrication and modeling of CMUTs – A review”, Sensors and Actuators A: Physical, 379 (2024), 115914  crossref
    5. L. N. Skvortsova, I. A. Artyukh, T. V. Tatarinova, K. A. Bolgaru, “Investigation of kinetic mechanisms of photocatalytic hydrogen generation from formic aside using metal-ceramic composites under visible-light irradiation”, Kinetika i kataliz, 65:2 (2024), 125  crossref
    6. Л. Н. Скворцова, К. И. Казанцева, К. А. Болгару, А. А. Регер, И. А. Артюх, К. А. Дычко, “Синтез металлокерамических композитов Fe/TaON/β-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/β-Si<sub>3</sub>Al<sub>3</sub>O<sub>3</sub>N<sub>5</sub> для фотокаталитической деградации хлорамфеникола в воде”, Neorganičeskie materialy, 59:3 (2023), 333  crossref
    7. L. N. Skvortsova, K. I. Kazantseva, K. A. Bolgaru, A. A. Reger, I. A. Artyukh, K. A. Dychko, “Synthesis of Fe/TaON/β-Si3N4/β-Si3Al3O3N5 Composites for Photocatalytic Degradation of Chloramphenicol in Water”, Inorg Mater, 59:3 (2023), 321  crossref
    8. L. N. Skvortsova, K. A. Bolgaru, K. I. Kazantseva, I. A. Tikhonova, A. A. Reger, K. A. Dychko, “Photocatalytic Degradation of Pharmaceutical Pollutants Under UV and Visible Light Using Ironcontaining Metal-Ceramic Composites”, Russ Phys J, 2023  crossref
    9. Dmitry Mizginov, Oleg Telminov, Sergey Yanovich, Dmitry Zhevnenko, Fedor Meshchaninov, Evgeny Gornev, “Investigation of the Temperature Dependence of Volt-Ampere Characteristics of a Thin-Film Si3N4 Memristor”, Crystals, 13:2 (2023), 323  crossref
    10. Hui Xu, Zeyuan Li, Zhaofu Zhang, Sheng Liu, Shengnan Shen, Yuzheng Guo, “High-Accuracy Neural Network Interatomic Potential for Silicon Nitride”, Nanomaterials, 13:8 (2023), 1352  crossref
    11. Nikolay Petkov, Totka Bakalova, Hristo Bahchedzhiev, Pavel Kejzlar, Petr Rysanek, Martin Kormunda, Pavla Capkova, “Influence of the Addition of the Elements Ti and Cr on the Structure, and Mechanical and Tribological Properties of AlSiN Coatings”, JNanoR, 73 (2022), 175  crossref
    12. В.В. Макеев, Г.С. Теплов, П.Ш. Саттаров, “К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОВОДИМОСТИ В МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2022, № 4, 34  crossref
    13. V.V. Makeev, G.S. Teplov, P.Sh. Sattarov, “TO THE QUESTION OF СHARGE TRANSPORT MECHANISM IN SILICON NITRIDE-BASED MEMRISTORS, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2022, № 4, 43  crossref
    14. Vladimir P. Dzyuba, Andrey V. Amosov, Yuri N. Kulchin, Anatoly V. Dvurechenskii, “Dynamics of the photoluminescence spectrum and the types and parameters of excitons in a SiNx/SiO2 superlattice”, Eur. Phys. J. Plus, 137:9 (2022)  crossref
    15. Konusov F., Pavlov S., Lauk A., Sokhoreva V., Gadirov R., Tarbokov V., Remnev G., “Effect of Irradiation With Continuous 28 Mev He(2+)Ion Beam and Short-Pulsed 200 Kev C(+)Ion Beam on Optical Properties of Multilayer Al-Si-N Coatings”, Radiat. Eff. Defects Solids, 176:3-4 (2021), 308–319  crossref  isi  scopus
    16. В. П. Дзюба, А. В. Амосов, Ю. Н. Кульчин, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 920–924  mathnet; Quantum Electron., 51:10 (2021), 920–924  crossref  isi  elib
    17. Artyukh I.A., Bolgaru K.A., Dychko K.A., Bavykina V A., Sastre F., Skvortsova L.N., “Hydrogen Production By Photocatalytic Degradation of Organic Substances Using Iron-Containing Metal-Ceramic Composites Under Uv and Visible-Light Irradiation”, ChemistrySelect, 6:37 (2021), 10025–10032  crossref  isi
    18. Gritsenko V.A., Gismatulin A.A., Orlov O.M., “Memory Properties of Siox- and Sinx-Based Memristors”, Nanobiotechnol. Rep., 16:6 (2021), 722–731  crossref  isi  scopus
    19. Gismatulin A.A., Kamaev G.N., Kruchinin V.N., Gritsenko V.A., Orlov O.M., Chin A., “Charge Transport Mechanism in the Forming-Free Memristor Based on Silicon Nitride”, Sci Rep, 11:1 (2021), 2417  crossref  isi
    20. Konusov F., Pavlov S., Lauk A., Tarbokov V., Gadirov R., Remnev G., “Effect of High Intensity Short-Pulsed Ion Irradiation on Optical Properties of Multilayer Coatings of Aluminum and Silicon Nitrides”, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B-Beam Interact. Mater. Atoms, 494-495 (2021), 1–9  crossref  isi  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:555
    PDF полного текста:197
    Список литературы:64
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025