|
Эта публикация цитируется в 29 научных статьях (всего в 29 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид
В. А. Гриценко Институт физики полупроводников СО РАН
Аннотация:
В настоящем обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении границ раздела кремний/диэлектрик (Si/SiO$_2$, Si/SiO$_x$N$_y$) и диэлектрик/диэлектрик (Si$_3$N$_4$/SiO$_2$) в структурах, которые являются основой кремниевых приборов.
Поступила: 21 октября 2008 г. Доработана: 17 апреля 2009 г.
Образец цитирования:
В. А. Гриценко, “Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид”, УФН, 179:9 (2009), 921–930; Phys. Usp., 52:9 (2009), 869–877
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn816 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v179/i9/p921
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 435 | PDF полного текста: | 143 | Список литературы: | 47 | Первая страница: | 1 |
|