|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 81, выпуск 11, страницы 721–723
(Mi jetpl1769)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Д. В. Гриценкоa, С. C. Шаймеевa, М. А. Ламинa, О. П. Пчеляковa, В. А. Гриценкоa, В. Г. Лифшицb a Институт физики полупроводников Сибирского отделения
РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт автоматики и процессов
управления Дальневосточного отделения РАН, 690041 Владивосток, Россия
Аннотация:
С помощью экспериментов по инжекции неосновных носителей из кремния $n$- и $p$-типов определен вклад электронов и дырок в проводимость ZrO$_2$ в структуре Si/ZrO$_2$/Al. Установлено, что в проводимость ZrO$_2$ дают вклад электроны и дырки: проводимость ZrO$_2$ является двузонной.
Поступила в редакцию: 05.05.2005
Образец цитирования:
Д. В. Гриценко, С. C. Шаймеев, М. А. Ламин, О. П. Пчеляков, В. А. Гриценко, В. Г. Лифшиц, “Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005), 721–723; JETP Letters, 81:11 (2005), 587–589
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1769 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v81/i11/p721
|
|