|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Т. В. Переваловa, Р. М. Х. Исхакзайa, И. П. Просвиринb, В. Ш. Алиевca, В. А. Гриценкоac a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт катализа им. Г. К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
Аннотация:
В работе показано, что обработка в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР) стехиометрического HfO$_2$, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения, приводит к существенному обеднению пленки кислородом и формированию нестехиометрического HfO$_x$ ($x<2$). Степень обеднения кислородом тем выше, чем больше время обработки. Перенос заряда в исследуемых пленках осуществляется по механизму фонон-облегченного туннелирования между ловушками, в качестве которых выступают вакансии кислорода. Установлено, что структуры $p^{++}$-Si/HfO$_x$/Ni, где оксидный слой обрабатывался в водородной ЭЦР-плазме, обладают мемристорными свойствами: переключаются обратимым образом между состояниями с высоким и низким сопротивлением. Полученные мемристорные структуры являются бесформовочными.
Поступила в редакцию: 17.11.2021 Исправленный вариант: 17.11.2021 Принята в печать: 25.11.2021
Образец цитирования:
Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, “Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса”, Письма в ЖЭТФ, 115:2 (2022), 89–93; JETP Letters, 115:2 (2022), 79–83
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6590 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v115/i2/p89
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 96 | Список литературы: | 24 | Первая страница: | 11 |
|