|
Эта публикация цитируется в 65 научных статьях (всего в 65 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния
В. А. Гриценко Институт физики полупроводников СО РАН
Аннотация:
Аморфные пленки оксида $\mathrm{SiO_2}$ и нитрида $\mathrm{Si_3N_4}$ кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок $\mathrm{SiO_2}$, $\mathrm{Si_3N_4}$ разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния $\mathrm{SiO}_{x}\mathrm{N}_y$, $\mathrm{SiN}_x$, $\mathrm{SiO}_x$. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.
Поступила: 17 марта 2008 г.
Образец цитирования:
В. А. Гриценко, “Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния”, УФН, 178:7 (2008), 727–737; Phys. Usp., 51:7 (2008), 699–708
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn619 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v178/i7/p727
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 676 | PDF полного текста: | 200 | Список литературы: | 43 | Первая страница: | 1 |
|