|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Горячие электроны в оксиде кремния
В. А. Гриценкоabc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
Аннотация:
Аморфный оксид кремния $\rm SiO_2$ является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле $\rm SiO_2$ превышает $10^7$ В/см. В сильных электрических полях в $\rm SiO_2$ разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях ($10^4 - 10^6$ В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >$10^6$ В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.
Поступила: 2 сентября 2016 г. Доработана: 7 декабря 2016 г. Одобрена в печать: 8 декабря 2016 г.
Образец цитирования:
В. А. Гриценко, “Горячие электроны в оксиде кремния”, УФН, 187:9 (2017), 971–979; Phys. Usp., 60:9 (2017), 902–910
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn5783 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v187/i9/p971
|
|